[發(fā)明專利]集成電路裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011024385.7
• 申請(qǐng)日: 2020-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN112563193A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李安璿;廖峻宏;吳振豪;李勝男;蔡騰群;趙皇麟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;C09G1/02
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李琛;黃艷

1.一種集成電路裝置的制造方法，該方法包括：

接收一半導(dǎo)體基板，其具有在一第一表面上露出的一金屬材料，該第一表面具有該金屬材料的實(shí)質(zhì)上均勻的材料組成；

接收一第一漿料，其包括一第一研磨劑成分以及一第一胺基堿性成分；

以該第一漿料研磨該第一表面上露出的該金屬材料，直到露出一第二表面，該第二表面包括該金屬材料以及圍繞該金屬材料的一氧化材料，該金屬材料在該第一漿料中具有一第一移除速率，以及該氧化材料在該第一漿料中具有一第二移除速率；

接收一第二漿料，其包括一第二研磨劑成分及一第二胺基堿性成分，該第二研磨劑成分與該第一研磨劑成分不同，且該第二胺基堿性成分與該第一胺基堿性成分不同，該金屬材料在該第二漿料中具有一第三移除速率，且該氧化材料在該第二漿料中具有一第四移除速率；以及

以該第二漿料研磨在該第二表面上露出的該金屬材料與該氧化材料；

其中該第一移除速率對(duì)該第二移除速率的比例大于30：1，以及該第三移除速率對(duì)該第四移除速率的比例為約1：0.5至約1：2。