[發明專利]具有子鰭電接觸的相鄰結構的環柵集成電路結構

在審

• 申請號: 202011023694.2
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112992897A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: B·古哈;W·徐;林崇勛;K·波亞;O·戈隆茨卡;T·加尼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/775;H01L29/78;B82Y10/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 付曼;姜冰

1.一種集成電路結構，包括：

半導體襯底上的半導體島；

在從所述半導體襯底伸出的鰭上面的水平納米線的豎直布置、水平納米線的所述豎直布置的與所述鰭電隔離的溝道區，其中所述鰭電耦合到所述半導體島；以及

水平納米線的所述豎直布置上方的柵極堆疊。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述半導體島和水平納米線的所述豎直布置包括相同的半導體材料。

3.如權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述相同的半導體材料是硅。

4.如權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述相同的半導體材料是硅鍺。

5.如權利要求1、2、3或4所述的集成電路結構，進一步包括：

在水平納米線的所述豎直布置的第一和第二末端處的一對外延源極或漏極結構。

6.如權利要求5所述的集成電路結構，進一步包括：

所述一對外延源極或漏極結構上的一對導電接觸；以及

所述半導體島上的導電接觸。

7.如權利要求6所述的集成電路結構，其中，所述一對導電接觸中的一個電連接到所述半導體島上的所述導電接觸。

8.如權利要求5所述的集成電路結構，其中，所述一對外延源極或漏極結構是一對非離散外延源極或漏極結構。

9.如權利要求5所述的集成電路結構，其中，所述一對外延源極或漏極結構是一對離散外延源極或漏極結構。

10.如權利要求1、2、3或4所述的集成電路結構，其中，所述柵極堆疊包括高k柵極介電層和金屬柵電極。

11.一種集成電路結構，包括：

半導體襯底上的半導體島，所述半導體島具有頂表面；

所述半導體島的所述頂表面上的第一柵極堆疊；

從所述半導體襯底伸出的鰭上面的水平納米線的豎直布置、水平納米線的所述豎直布置的與所述鰭電隔離的溝道區，其中所述鰭具有所述半導體島的所述頂表面下方的頂表面；以及

水平納米線的所述豎直布置上方的第二柵極堆疊。

12.如權利要求11所述的集成電路結構，其中，所述半導體島和水平納米線的所述豎直布置包括相同的半導體材料。

13.如權利要求12所述的集成電路結構，其中，所述相同的半導體材料是硅。

14.如權利要求12所述的集成電路結構，其中，所述相同的半導體材料是硅鍺。

15.如權利要求11、12、13或14所述的集成電路結構，進一步包括：

水平納米線的所述豎直布置的第一和第二末端處的一對外延源極或漏極結構；以及

所述半導體島中的一對源極或漏極區。

16.如權利要求15所述的集成電路結構，進一步包括：

所述一對外延源極或漏極結構上的第一對導電接觸；以及

所述半導體島中的所述一對源極或漏極區上的第二對導電接觸。

17.如權利要求16所述的集成電路結構，其中，所述第一對導電接觸中的一個電連接到所述第二對導電接觸中的一個。

18.如權利要求15所述的集成電路結構，其中，所述一對外延源極或漏極結構是一對非離散外延源極或漏極結構。

19.如權利要求15所述的集成電路結構，其中，所述一對外延源極或漏極結構是一對離散外延源極或漏極結構。