[發(fā)明專利]蒸發(fā)源裝置、成膜裝置、成膜方法及電子器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011023409.7 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN112575295B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 風間良秋;近藤喜成 | 申請(專利權)人: | 佳能特機株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26;H10K99/00 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 張寶榮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸發(fā) 裝置 方法 電子器件 制造 | ||
1.一種蒸發(fā)源裝置,其具備:
容器,其收容蒸鍍材料;
第一加熱器,其配置在所述容器的周圍且呈螺旋狀地設置有加熱線;以及
第二加熱器,其配置在所述第一加熱器的外側且呈螺旋狀地設置有加熱線,
對由所述第一加熱器的設置成螺旋狀的加熱線包圍的所述容器進行加熱,
所述蒸發(fā)源裝置的特征在于,具備:
多個支承構件組,其分別包括第一支承構件、第二支承構件以及固定構件,所述第一支承構件以所述第一加熱器和所述第二加熱器不接觸的方式配置在所述第一加熱器與所述第二加熱器之間,且對所述第一加熱器和第二加熱器的任一方的加熱線進行支承,所述第二支承構件對所述第一加熱器和第二加熱器的另一方的加熱線進行支承,所述固定構件固定所述第一支承構件和所述第二支承構件;以及
定位構件,其具有多個供所述多個支承構件組中的一個支承構件組的至少一部分插入的槽,從而對所述多個支承構件組進行定位固定。
2.根據權利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第二支承構件配置在所述第二加熱器的外側且對所述第二加熱器的加熱線進行支承,所述第一支承構件支承所述第一加熱器的加熱線。
3.根據權利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第二支承構件配置在所述第一加熱器的內側且對所述第一加熱器的加熱線進行支承,所述第一支承構件支承所述第二加熱器的加熱線。
4.根據權利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第二支承構件配置在所述第一加熱器與所述第二加熱器之間且對所述另一方的加熱線進行支承。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述定位構件包括圓板狀的構件,所述圓板狀的構件設置有供支承所述容器的支柱嵌合的嵌合孔,所述槽在所述圓板狀的構件的外周側沿周向設有多個。
6.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述定位構件包括環(huán)狀的構件,所述槽在所述環(huán)狀的構件的內周面沿周向設有多個。
7.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第一支承構件是絕緣構件。
8.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第二支承構件是絕緣構件。
9.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第一支承構件具有供所述一方的加熱線卡合的卡合槽或卡合孔。
10.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第二支承構件具有供所述另一方的加熱線卡合的卡合槽或卡合孔。
11.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第一加熱器和所述第二加熱器由彼此不同的兩根加熱線構成,成為彼此獨立地被控制的結構。
12.根據權利要求1~4中任一項所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,
所述第一加熱器和所述第二加熱器由一根加熱線構成,成為被同樣地控制的結構。
13.一種成膜裝置,其特征在于,具備:
權利要求1~12中任一項所述的蒸發(fā)源裝置;以及
配置有該蒸發(fā)源裝置且對被蒸鍍體進行所述蒸鍍材料的蒸鍍的真空腔室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





