[發明專利]一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器及制作方法

在審

• 申請號: 202011023098.4
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112133778A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 唐路平;郭迎慶;王皖君
• 申請（專利權）人: 南京林業大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/109;H01L31/18
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 田凌濤

1.一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器，應用于人體穿戴設備中，實現光電檢測，其特征在于：所述柔性光電探測器包括柔性基板（1）、硒化銀量子點層（2）、以及兩根電極（3）；其中，硒化銀量子點層（2）固定覆蓋設置于柔性基板（1）的上表面，硒化銀量子點層（2）用于實現光吸收；兩根電極（3）分別穿過硒化銀量子點層（2）、并設置于柔性基板（1）的上表面，硒化銀量子點層（2）與兩根電極（3）相對接，各根電極（3）上的底端分別與柔性基板（1）上表面固定對接，兩根電極（3）之間保持預設間距，各根電極（3）頂端的高度均不低于硒化銀量子點層（2）上表面高度。

2.根據權利要求1所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器，其特征在于：還包括位于所述柔性基板（1）與所述硒化銀量子點層（2）之間的石墨烯層（4-1），石墨烯層（4-1）固定覆蓋設置于柔性基板（1）的上表面，硒化銀量子點層（2）固定覆蓋設置于硒化銀量子點層（2）的上表面，所述兩根電極（3）分別依次穿過硒化銀量子點層（2）與石墨烯層（4-1）、并設置于柔性基板（1）的上表面，石墨烯層（4-1）與硒化銀量子點層（2）分別均與兩根電極（3）相對接。

3.根據權利要求1所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器，其特征在于：還包括位于所述柔性基板（1）與所述硒化銀量子點層（2）之間的二硫化鉬層（4-2），二硫化鉬層（4-2）固定覆蓋設置于柔性基板（1）的上表面，硒化銀量子點層（2）固定覆蓋設置于硒化銀量子點層（2）的上表面，所述兩根電極（3）分別依次穿過硒化銀量子點層（2）與二硫化鉬層（4-2）、并設置于柔性基板（1）的上表面，二硫化鉬層（4-2）與硒化銀量子點層（2）分別均與兩根電極（3）相對接。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器，其特征在于：所述兩根電極（3）底端分別與所述柔性基板（1）上表面相對接的位置，分別位于柔性基板（1）上表面彼此相對的兩側邊緣位置。

5.根據權利要求4所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器，其特征在于：所述柔性基板（1）為聚乙烯對苯二甲酸酯基板。

6.根據權利要求4所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器，其特征在于：所述兩根電極（3）均為金電極。

7.一種針對權利要求2或3所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟A. 應用高溫熱分解法制備硒化銀量子點，然后進入步驟B；

步驟B. 在柔性基板（1）上表面制備兩根電極（3），然后進入步驟C；

步驟C. 將硒化銀量子點分散到甲苯溶液中，并將含有硒化銀量子點的甲苯溶液旋涂到柔性基板（1）的上表面，構成硒化銀量子點層（2）。

8.根據權利要求7所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器的制作方法，其特征在于：還包括步驟AB和步驟BC分別如下，其中，執行完步驟A后，進入步驟AB；執行完步驟B后，進入步驟BC；

步驟AB. 應用CVD法在銅基板上生長石墨烯或者二硫化鉬，然后進入步驟B；

步驟BC. 應用濕法轉移方式，將所獲得的石墨烯或者二硫化鉬轉移到柔性基板（1）的上表面，構成石墨烯層（4-1）或者二硫化鉬層（4-2），然后進入步驟C；

所述步驟C中，將含有硒化銀量子點的甲苯溶液旋涂到所構建的石墨烯層（4-1）上表面或者二硫化鉬層（4-2）上表面，構成硒化銀量子點層（2）。

9.根據權利要求7或8所述一種基于硒化銀量子點的柔性光電探測器的制作方法，其特征在于：所述步驟B中，應用電子束熱蒸發法和剝離工藝在柔性基板（1）上表面制備兩根電極（3）。