[發(fā)明專利]芯片參數(shù)的測試及校準(zhǔn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011022390.4
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112147488A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃必亮
• 申請（專利權(quán)）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提出一種芯片參數(shù)的測試及校準(zhǔn)方法，將多個芯片一同置于某個溫度下，分別獲取每個芯片在該溫度下的參數(shù)；變換芯片測試溫度，分別獲取每個芯片在各個溫度下的參數(shù)；根據(jù)每個芯片在各個溫度下的參數(shù)，對每個芯片的參數(shù)進(jìn)行修調(diào)校準(zhǔn)，使得每個芯片的參數(shù)隨溫度的變化而不變，或者，使得每個芯片的參數(shù)隨溫度的變化維持在第一區(qū)間內(nèi)。本發(fā)明可以批量校準(zhǔn)芯片的參數(shù)，降低測試時間和成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電力電子領(lǐng)域，特別涉及一種芯片參數(shù)的測試及校準(zhǔn)方法。

背景技術(shù)

很多芯片在不同的溫度下，其片內(nèi)參數(shù)可能不同，從而影響芯片的使用。現(xiàn)有的很多芯片片內(nèi)沒有設(shè)置存儲器，多個芯片置于一處時，沒有編號的芯片之間容易混淆。每個芯片在對片內(nèi)的參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)時，都需要單獨的設(shè)置多個測試溫度，以采樣不同溫度下的參數(shù)，用于參數(shù)校準(zhǔn)。由于每個芯片的參數(shù)校準(zhǔn)都需要設(shè)置多個測試溫度，因而，現(xiàn)有技術(shù)的參數(shù)校準(zhǔn)工作量大，成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種可批量校準(zhǔn)芯片參數(shù)的校準(zhǔn)方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的參數(shù)校準(zhǔn)工作量大，成本高的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片參數(shù)的測試及校準(zhǔn)方法，將多個芯片一同置于某個溫度下，分別獲取每個芯片在該溫度下的參數(shù)；變換芯片測試溫度，分別獲取每個芯片在各個溫度下的參數(shù)；根據(jù)每個芯片在各個溫度下的參數(shù)，對每個芯片的參數(shù)進(jìn)行修調(diào)校準(zhǔn)，使得每個芯片的參數(shù)隨溫度的變化而不變，或者，使得每個芯片的參數(shù)隨溫度的變化維持在第一區(qū)間內(nèi)。

可選的，在每個芯片參數(shù)的修調(diào)校準(zhǔn)中，每個芯片參數(shù)隨溫度的變化率小于1％。

可選的，所述的芯片參數(shù)為電壓基準(zhǔn)、電流基準(zhǔn)或者電阻值中的至少之一。

可選的，對所述的多個芯片進(jìn)行編號，每個芯片將其編號寫入芯片內(nèi)部存儲器；測試時，讀取需要測試的芯片的編號，將各個溫度下的芯片參數(shù)按讀取的編號存入文檔。

可選的，當(dāng)需要校準(zhǔn)芯片參數(shù)時，按芯片編號獲取所述文檔內(nèi)的各個溫度下的相應(yīng)參數(shù)。

可選的，每個芯片將其在各個溫度下的參數(shù)全部存入該芯片的內(nèi)部存儲器。

可選的，當(dāng)需要校準(zhǔn)芯片參數(shù)時，讀取相應(yīng)芯片內(nèi)部存儲器在各個溫度下下存入的相應(yīng)參數(shù)。

可選的，在芯片需要工作的溫度范圍之內(nèi)，根據(jù)芯片參數(shù)隨溫度的變化率調(diào)整芯片參數(shù)，以使得芯片參數(shù)不隨溫度變化。

可選的，在芯片需要工作的溫度范圍之內(nèi)，根據(jù)芯片參數(shù)隨溫度的變化率計算出芯片參數(shù)的調(diào)整系數(shù)，并將這些芯片參數(shù)的調(diào)整系數(shù)寫入芯片內(nèi)部存儲器；在芯片工作時，芯片根據(jù)其內(nèi)部存儲器的芯片參數(shù)的調(diào)整系數(shù)，對該芯片參數(shù)在不同溫度下進(jìn)行調(diào)整，以獲得不隨溫度變化的芯片參數(shù)。

可選的，在芯片工作時，芯片根據(jù)其內(nèi)部存儲器中各個溫度下的參數(shù)，計算并輸出不隨芯片工作溫度變化的芯片參數(shù)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明將多個芯片一同置于某個溫度下，分別獲取每個芯片在該溫度下的參數(shù)；變換芯片測試溫度，分別獲取每個芯片在各個溫度下的參數(shù)；根據(jù)每個芯片在各個溫度下的參數(shù)，對每個芯片的參數(shù)進(jìn)行修調(diào)校準(zhǔn)，使得每個芯片的參數(shù)隨溫度的變化而不變，或者，使得每個芯片的參數(shù)隨溫度的變化維持在第一區(qū)間內(nèi)。本發(fā)明可以批量修調(diào)校準(zhǔn)多個芯片的參數(shù)，可以降低時間和成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明芯片參數(shù)校準(zhǔn)波形圖；

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不僅僅限于這些實施例。本發(fā)明涵蓋任何在本發(fā)明的精神和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。