[發(fā)明專利]半導體發(fā)光元件和發(fā)光裝置

在審

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• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112086544A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設計）人: 楊人龍;張平
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體發(fā)光元件，包括：

第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及兩者之間的活性層；

電流阻擋層，包括條狀部分，設置在所述第一導電型半導體層的局部表面上；

第一金屬電極，包括第一金屬電極墊和從所述第一金屬電極墊延伸出去的第一金屬電極擴展條，第一金屬電極擴展條位于所述的電流阻擋層的條狀部分之上；

其特征在于：第一金屬電極擴展條包括延伸段和端部；位于部分所述延伸段下方的所述電流阻擋層的條狀部分，沿著逐漸遠離所述第一金屬電極墊的延伸方向，具有逐漸加寬的加寬部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體發(fā)光元件，其特征在于：在第一金屬電極擴展條的延伸段下方，所述的電流阻擋層的所述條狀部分包括第一長度部分和第二長度部分，相較于第二長度部分所述第一長度部分與所述的第一金屬電極墊的距離更小，第二長度部分為所述加寬部；第一長度部分的寬度與其正上方的第一金屬電極擴展條延伸段的寬度之差為D1，第二長度部分最寬處的寬度與其正上方的部分第一金屬電極擴展延伸段條的寬度之差為D2，D1小于D2，D1大于0微米，D2大于0微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的電流阻擋層的所述條狀部分的第一長度部分與其正上方的第一金屬電極擴展條延伸段之間的寬度之差D1固定不變。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的D1值至少為5微米，至多為20微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的電流阻擋層的所述條狀部分的第二長度部分與其正上方的部分第一金屬電極擴展條延伸段之間的寬度之差D2，D2沿著逐漸遠離所述第一金屬電極墊的方向逐漸增大或者先逐漸增大然后固定不變。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的D2具有最大值，D2的最大值與D1之差為至少1微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的第一金屬電極擴展條的整段延伸段沿著逐漸遠離所述第一金屬電極墊的延伸方向，寬度維持固定不變至所述端部或者寬度先逐漸減小后固定不變至所述端部或者寬度逐漸減小至所述端部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的第一金屬電極擴展條包括一個直線延伸段和端部，其中所述的直線延伸段和所述端部直接連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述的第一金屬電極擴展條包括一個弧線延伸段和端部，其中所述的弧線延伸段和所述端部直接連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述電流阻擋層的加寬部位于部分所述第一金屬電極擴展條直線延伸段的下方。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述電流阻擋層的加寬部位于部分所述第一金屬電極擴展條弧線延伸段的下方。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述電流阻擋層的加寬部同時位于所述第一金屬電極擴展條的端部的下方。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一金屬電極擴展條包括一直線延伸段、一弧線延伸段和端部，或者所述第一金屬電極擴展條包括一個直線延伸段、一折線延伸段和端部；所述弧線延伸段、折線延伸段直接連接于所述直線延伸段，所述弧線延伸段、者折線延伸段比所述直線延伸段更遠離所述第一金屬電極墊，所述的弧線延伸段、所述的折線延伸段的延伸方向偏離于所述直線延伸段的延伸方向。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體發(fā)光元件，其特征在于：電流阻擋層的條狀部分加寬部至少在所述弧線延伸段或者折線延伸段下方。