[發明專利]半導體發光元件和發光裝置

在審

• 申請號: 202011021816.4
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112086544A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 楊人龍;張平
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種半導體發光元件，包括：第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及兩者之間的活性層；電流阻擋層，包括條狀部分，設置在所述第一導電型半導體層的局部表面上；第一金屬電極，包括第一金屬電極墊和從所述第一金屬電極墊延伸出去的第一金屬電極擴展條，第一金屬電極擴展條位于所述的電流阻擋層的條狀部分之上；第一金屬電極擴展條包括延伸段和端部；位于部分所述延伸段下方的所述電流阻擋層的條狀部分，沿著逐漸遠離所述第一金屬電極墊的延伸方向，具有逐漸加寬的加寬部。

技術領域

本公開的示例性實施例涉及一種半導體發光元件（LED芯片），并且更具體地涉及一種具有高可靠性的半導體發光元件。

背景技術

通常半導體發光元件又稱發光二極管（LED芯片），包括供應空穴的第一導電類型半導體層、供應電子的第二導電類型半導體層以及插置在第一導電類型半導體層與第二導電類型半導體層之間的發光層，其中第一導電類型半導體層為p型層，第二導電類型半導體層為n型層。第一電極和第二電極分別形成在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層上，以傳遞來自外部電源的電流至發光二極管獲得發光。

另一方面，基于諸如氮化物半導體的第一導電類型半導體層相比第二導電類型半導體層具有較低的導電率。因此，電流不會在第一導電類型半導體層中有效地擴散，由此導致半導體層的某個區域中產生電流擁擠。當半導體層中發生電流擁擠時，發光二極管變得容易進行靜電放電并且燒傷。為了實現有效的電流擴散，諸如氧化銦錫(ITO)的透明電極層形成在第一導電類型半導體層上，且第一電極形成在ITO層上，第一電極包括電極墊和自電極墊延伸出去的條狀部分，并且第一金屬電極墊和第一電極條狀部分下方還設置有相同形狀輪廓的電流阻擋層，以阻擋電流在第一金屬電極與第一導電類型半導體層之間縱向延伸，利于電流橫向擴展出去，目前設計時條狀電極下的電流阻擋層均相對于電極擴展條的寬度按固定寬度差距向指狀電極的兩側外擴。然而電極條狀部分的末端附近電荷容易集中，并且容易因為光罩圖形對位不準的原因，導致電極條狀部分與電流阻擋層之間容易發生偏離，在高階電壓ESD沖擊下易在末端附近出現失效。

發明內容

本發明提供一種具有高可靠性的半導體發光元件，包括：

第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及兩者之間的活性層；

電流阻擋層，包括條狀部分，設置在所述第一導電型半導體層的局部表面上；

第一金屬電極，包括第一金屬電極墊和從所述第一金屬電極墊延伸出去的第一金屬電極擴展條，第一金屬電極擴展條位于所述的電流阻擋層的條狀部分之上；

其特征在于：第一金屬電極擴展條包括延伸段和端部；位于部分所述延伸段下方的所述電流阻擋層的條狀部分，沿著逐漸遠離所述第一金屬電極墊的延伸方向，具有逐漸加寬的加寬部。

有益效果

針對本發明的半導體發光元件，對第一金屬電極擴展條的延伸段接近末端部分的下方電流阻擋層的形狀進行改進，即電流阻擋層在沿著逐漸遠離所述第一金屬電極墊的延伸方向，具有逐漸相對加寬的加寬部，由此可以改善第一金屬電極擴展條的遠端處靜電沖擊下電荷分布過于集中現象，并且可以避免第一金屬電極擴展條的遠端處附近因為與電流阻擋層位置偏移而發生電流擁擠，提升ESD性能，提升電極結構的可靠性。

附圖說明

圖1~2本發明的實施例一的一半導體發光元件的俯視結構圖，圖1中相鄰虛線之間表示的是第一金屬電極擴展條的不同組成部分（1072、1073、1074和1075）；圖2中相鄰虛線之間表示的是電流阻擋層的條狀部分不同組成部分（1052、1053、1054和1055）。

圖3為圖1的半導體發光元件的局部結構示意圖。

圖4為圖1的半導體發光元件沿A-A’線的剖視結構示意圖。