[發明專利]一種芯片巨量定位分布方法在審
| 申請號: | 202011019824.5 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN112133662A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 林健峯 | 申請(專利權)人: | 林健峯 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L33/62 |
| 代理公司: | 東莞市卓越超群知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44462 | 代理人: | 李慧 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 巨量 定位 分布 方法 | ||
本發明涉及巨量轉移技術領域,尤指一種芯片巨量定位分布方法。本發明芯片巨量定位分布方法是利用芯片的自磁性和L型止擋凸部,讓芯片在磁性和重力作用下自動歸位于定點位置,比較激光、芯片吸嘴和其他技術設備,在生產設備上的成本非常低。在生產速度上,由于是芯片自定位,生產速度也是眾多技術中高速的。其中,本發明很容易做到冗余的方式,基板設計冗余的方式,只要把芯片成本做得比較低的話,在同一個功能區位準備多補充一個備位芯片,這樣有壞點的時候,就能減少修復和重復轉移的次數。因此,本發明可以實現低成本生產,可以快速進入手表、電視、車載屏幕量產。
技術領域
本發明涉及巨量轉移技術領域,尤指一種芯片巨量定位分布方法。
背景技術
近年來,微型發光二極管(Micro LED,LED)的制作工藝日趨完善,相比傳統顯示面板,微型發光二極管具有尺寸更小、分辨率更高、亮度更高、發光效率更高、功耗更低等眾多優點,因此也被認為是下一代顯示技術的主流。通常發光二極管的制備流程是首先將二極管結構薄膜化、微小化、陣列化,使其尺寸僅在10~20微米左右,然后將微型發光二極管批量式轉移至顯示電路基板上,最后進行封裝。其中,如何實現批量式轉移則是此流程的關鍵難點,巨量轉移技術也應運而生。
目前在巨量轉移技術上應用最多的是Micro-LED,如果定義芯片尺寸50μm以下,±1~2μm的精度差,作為Micro LED的一個標準,傳統的方式才做到幾千或1~2萬的速度,如果要做到1~2小時組裝完,則需要每小時一百萬到一千萬的轉移速度,因此轉移速度是非常重要的。所以,我們不僅要考慮巨量轉移的方式,還要考慮巨量轉移的成本。就組裝技術來講,現有技術不一定特別適合。在原有技術上如何進一步提高組裝速度,同時保證精度,是一個問題。許多專利也在這方面做了一些探索,這里面涉及的技術很多,包括流體組裝、stamp、激光轉移、靜電吸附、凡德瓦力、流體自組裝、roll to roll等。
現在Micro-LED比較有可能實現量產的有大尺寸電視、手表屏幕、車載屏幕,如果從巨量轉移來看,最先是手表,因為轉移數量比較少,難度比較低。第二是電視領域,主要考慮成本,電視領域的競爭關系很微妙,一方面要跟LED小間距競爭,另一方面又要跟LCD競爭,這里面的關鍵就在于成本。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供一種芯片巨量定位分布方法,可以實現低成本生產,快速進入手表、電視、車載屏幕量產。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案是:一種芯片巨量定位分布方法,包括以下順序的步驟:
S101,提供步驟:提供一基板以及復數個芯片,該復數個芯片各自具有一工作表面及一黏合面,該黏合面各自設有一環境感應型黏合構件,該基板的表面設有復數個止擋凸部,每個止擋凸部為擋止一個芯片而使該個芯片被置位于該個止擋凸部的一芯片置位區;
S102,散布步驟;將該復數個芯片散布至該基板的表面;
S103,傾斜步驟:將該基板傾斜一角度,使該復數個芯片在該基板的表面滑移而使該止擋凸部擋止該復數個芯片進而將該復數個芯片予以置位于該芯片置位區;
S105,黏合步驟:使各個該復數個芯片中的該工作表面朝上的芯片黏合于該芯片置位區;
S106,去除步驟:去除該基板上未黏合的該芯片;
S107,重復步驟:重復執行該散布步驟、該傾斜步驟、該均勻步驟、該黏合步驟及該去除步驟;
S108,修補步驟:將未黏合的該芯片黏合于該芯片置位區。
進一步地,在S101提供步驟中,提供的該芯片為該工作表面的焊點圖案為四重旋轉對稱的芯片,芯片包括焊點和芯片功能區,焊點的金屬成分包含磁性元素鐵、鈷、鎳、釹、硼、釤、鑭系稀土元素和人工合成復合鐵磁性材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





