[發明專利]一種芯片巨量定位分布方法

在審

• 申請號: 202011019824.5
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112133662A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 林健峯
• 申請（專利權）人: 林健峯
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L33/62
• 代理公司: 東莞市卓越超群知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44462
• 代理人: 李慧

1.一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：包括以下順序的步驟：

S101，提供步驟：提供一基板以及復數個芯片，該復數個芯片各自具有一工作表面及一黏合面，該黏合面各自設有一環境感應型黏合構件，該基板的表面設有復數個止擋凸部，每個止擋凸部為擋止一個芯片而使該個芯片被置位于該個止擋凸部的一芯片置位區；

S102，散布步驟；將該復數個芯片散布至該基板的表面；

S103，傾斜步驟:將該基板傾斜一角度，使該復數個芯片在該基板的表面滑移而使該止擋凸部擋止該復數個芯片進而將該復數個芯片予以置位于該芯片置位區；

S105，黏合步驟：使各個該復數個芯片中的該工作表面朝上的芯片黏合于該芯片置位區；

S106，去除步驟：去除該基板上未黏合的該芯片；

S107，重復步驟：重復執行該散布步驟、該傾斜步驟、該均勻步驟、該黏合步驟及該去除步驟；

S108，修補步驟：將未黏合的該芯片黏合于該芯片置位區。

2.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S101提供步驟中，提供的該芯片為該工作表面的焊點圖案為四重旋轉對稱的芯片，芯片包括焊點和芯片功能區，焊點的金屬成分包含磁性元素鐵、鈷、鎳、釹、硼、釤、鑭系稀土元素和人工合成復合鐵磁性材料。

3.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S101提供步驟中，提供的該基板的該止擋凸部為形狀對應該復數個芯片的外輪廓。

4.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S101提供步驟中，提供的該基板的該止擋凸部為L型止擋凸部，L型止擋凸部材料成分包含磁性元素鐵、鈷、鎳、釹、硼、釤、鑭系稀土元素和人工合成復合鐵磁性材料，可由基板的電性控制特定L型止擋凸部位置的磁性。

5.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：還包括S104均勻步驟，施加外力使該復數個芯片均勻散布于該基板的該表面，并且將多余芯片在施加外力時移除。

6.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S105黏合步驟中，還包括以下步驟：

S1051，加熱步驟：對該基板的表面加熱，使該復數個芯片中的該工作表面朝上的芯片的該環境感應型黏合構件受熱而黏合于該芯片置位區；

S1052，降溫步驟：對該基板的表面降溫，以降溫該基板上的該芯片的環境感應型黏合構件；

S1053，照光步驟：對該基板照光，使該復數個芯片中的該黏合面朝向該基板的芯片的環境感應型黏合構件受光照而黏合于該芯片置位區。

7.根據權利要求6所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S1052降溫步驟中，該環境感應型黏合構件為熱感型黏合構件；在S1053照光步驟中，該環境感應型黏合構件為光感型黏合構件。

8.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S106去除步驟中，該芯片系以一吸嘴吸取未黏合的芯片。

9.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S107重復步驟中，達成芯片巨量定位分布100％。

10.根據權利要求1所述的一種芯片巨量定位分布方法，其特征在于：在S108修補步驟中，在空缺位置將未黏合的該芯片黏合于該芯片置位區，并完成布線。