[發(fā)明專利]堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011016040.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-09-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112164674A | 公開（公告）日： | 2021-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 薛迎飛;王喜龍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清華長(zhǎng)三角研究院 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/10 | 分類號(hào)： | H01L23/10;H01L23/373;H01L23/538;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉興市海寧*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 堆疊 帶寬 存儲(chǔ)器 | ||
1.一種堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器，包括至少兩個(gè)相互鍵合的芯片，所述兩個(gè)芯片各自獨(dú)立的選自于邏輯芯片和存儲(chǔ)器芯片中的任意一種，其特征在于：
兩芯片之間的物理連接采取氧化物介質(zhì)層作為中間層相互鍵合；
兩芯片之間的電學(xué)連接通過導(dǎo)電通孔直連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括多個(gè)芯片，每個(gè)芯片各自獨(dú)立的選自于邏輯芯片和存儲(chǔ)器芯片中的任意一種，芯片之間均采用取氧化物鍵合層作為中間層相互鍵合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括底部的邏輯芯片和上部倒置堆疊設(shè)置的多個(gè)存儲(chǔ)器芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器通過設(shè)置在底部的邏輯芯片的下表面的微凸塊與外部電學(xué)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器通過倒置在頂部的存儲(chǔ)器芯片的上表面的微凸塊與外部電學(xué)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的堆疊式高帶寬存儲(chǔ)器，其特征在于，所述氧化物介質(zhì)層選自于氮化硅和氮氧化硅中的任意一種。
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