[發明專利]薄膜制造方法

在審

• 申請號: 202011015851.5
• 申請日: 2020-09-24
• 公開（公告）號: CN112813416A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 延昌峰;鄭在善;邊惠蘭;宋泰浩;金素貞;李錫宗
• 申請（專利權）人: 秀博瑞殷株式公社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/54;B29D7/01;C23C16/30
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種薄膜制造方法，其特征在于，包括：

步驟(ⅰ)，使薄膜形成用生長抑制劑吸附在基板表面；以及

步驟(ⅱ)，使金屬膜前體、金屬氧化膜前體、金屬氮化膜前體或硅氮化膜前體吸附在吸附有薄膜形成用生長抑制劑的基板表面，

其中，所述薄膜形成用生長抑制劑由化學式1表示，

所述金屬為選自鎢、鈷、鉻、鋁、鉿、釩、鈮、鍺、鑭系元素、錒系元素、鎵、鉭、鋯、釕、銅、鈦、鎳、銥以及鉬中的一種以上，

化學式1：

A_nB_mX_o

其中，所述A為碳或硅，所述B為氫或碳原子數為1至3的烴基，所述X為鹵素，所述n為1至15的整數，所述o為1以上的整數，m為0至2n+1。

2.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在所述使薄膜形成用生長抑制劑吸附在基板表面的步驟(ⅰ)中，對基板表面的薄膜形成用生長抑制劑的供給時間(Feeding Time)為1至10秒。

3.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在所述使薄膜形成用生長抑制劑吸附在基板表面的步驟(ⅰ)中，將薄膜形成用生長抑制劑注入到ALD(原子層沉積)腔室內并使其吸附到被裝載(loading)的基板表面。

4.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在所述使薄膜形成用生長抑制劑吸附在基板表面的步驟(ⅰ)中，利用吹掃氣體吹掃未被吸附到基板表面的殘留的薄膜形成用生長抑制劑。

5.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在所述吸附膜前體的步驟(ⅱ)中，利用吹掃氣體吹掃未被吸附的殘留的膜前體。

6.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

使所述膜前體吸附在基板表面之后，供給反應氣體；以及

利用吹掃氣體吹掃所述膜前體與反應氣體的反應副產物。

7.根據權利要求6所述的薄膜制造方法，其特征在于，

所述反應氣體為還原劑、氮化劑或氧化劑。

8.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

所述薄膜形成用生長抑制劑及所述膜前體通過VFC方式、DLI方式或LDS方式被移送至基板表面。

9.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

所述薄膜形成用生長抑制劑與所述膜前體的向基板表面的投入量(mg/cycle)之比為1∶1.5至1∶20。

10.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在所述化學式1中，X為氯(Cl)。

11.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

在所述化學式1中，所述o為1至5的整數。

12.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

由所述化學式1表示的化合物為支鏈化合物、環狀化合物或芳香族化合物。

13.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，

由所述化學式1表示的化合物在常溫22℃下為液體，密度為0.8至1.5g/cm³，在20℃下的蒸氣壓為1至300mmHg，在25℃下水中的溶解度為200mg/L以下。