[發明專利]射線探測器基板及射線探測器在審
| 申請號: | 202011014668.3 | 申請日: | 2020-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN112117290A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 周琳 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方傳感技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/115 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射線 探測器 | ||
本公開實施例公開了一種射線探測器基板及射線探測器,涉及光電檢測技術領域,用于提高對射線的探測能力。射線探測器基板,包括襯底、光電探測器、調光部、第一閃爍體層及第二閃爍體層。光電探測器包括第一光電探測器和第二光電探測器;調光部包括第一調光部和第二調光部。第二閃爍體層被配置為,將射線中的一部分射線轉換為第一輻射熒光并使另一部分射線透過第二閃爍體層。第一閃爍體層被配置為,將另一部分射線轉換為第二輻射熒光。第一調光部被配置為,反射第二輻射熒光并使第一輻射熒光透過被第一光電探測器探測。第二調光部被配置為,反射第一輻射熒光并使第二輻射熒光透過被第二光電探測器探測。本公開提供的射線探測器基板用于探測射線。
技術領域
本公開涉及光電檢測技術領域,尤其涉及一種射線探測器基板及射線探測器。
背景技術
數字化攝影(Digital Radiography,簡稱DR),以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等顯著優點,成為數字化攝影技術的主要方向。數字化攝影的技術核心是射線探測器(例如為X射線探測器),射線探測器是一種精密和貴重的設備,對成像質量起著決定性的作用。
射線探測器在無損檢測、醫學檢測以及安檢等領域內得到了較為廣泛的應用。
發明內容
本公開實施例的目的在于提供一種射線探測器基板及射線探測器,用于提高射線探測器基板對雙能射線的探測能力,并提高射線探測器的穩定性和使用壽命。
為達到上述目的,本公開實施例提供了如下技術方案:
本公開實施例的第一方面,提供一種射線探測器基板。所述射線探測器基板,包括:襯底;位于所述襯底一側的多個光電探測器;分別位于所述多個光電探測器遠離所述襯底一側的多個調光部;位于所述多個調光部遠離所述襯底一側的第一閃爍體層;以及,位于所述第一閃爍體層遠離所述襯底一側的第二閃爍體層。所述多個光電探測器包括多個第一光電探測器和多個第二光電探測器所述多個調光部包括位于每個第一光電探測器遠離所述襯底一側的第一調光部,和位于每個第二光電探測器遠離所述襯底一側的第二調光部。其中,所述第二閃爍體層被配置為,將入射至所述第二閃爍體層的射線中的一部分射線轉換為第一輻射熒光,并使另一部分射線透過所述第二閃爍體層射向所述第一閃爍體層。所述第一閃爍體層被配置為,將透過所述第二閃爍體層的所述另一部分射線轉換為第二輻射熒光,并使所述第一輻射熒光和所述第二輻射熒光射向所述多個調光部。所述一部分射線的平均能量小于所述另一部分射線的平均能量,所述第一輻射熒光的波長大于所述第二輻射熒光的波長。所述第一調光部被配置為,反射所述第二輻射熒光,并使所述第一輻射熒光透過,被所述第一光電探測器探測。所述第二調光部被配置為,反射所述第一輻射熒光,并使所述第二輻射熒光透過,被所述第二光電探測器探測。
本公開的一些實施例所提供的射線探測器基板,通過在每個光電探測器遠離襯底的一側設置調光部,并在多個調光部遠離襯底的一側依次設置第一閃爍體層和第二閃爍體層,可以利用第一閃爍體層和第二閃爍體層分別轉換得到不同波長的輻射熒光,利用調光部中的第一調光部和第二調光部分別透過不同波長范圍的輻射熒光,反射其他波長范圍的輻射熒光,進而可以利用光電探測器3分別對不同波長的輻射熒光探測,實現了對雙能X射線的探測。
而且,本公開所提供的射線探測器基板為一個整體的結構,而不是由完全獨立的兩個或多個結構進行裝配而成,這樣可以降低因相對位置或裝配精度等因素對雙能X射線的探測能力的影響,使得本公開提供的射線探測器基板具有良好的雙能X射線的探測能力。
此外,本公開對射線探測器基板的整體結構進行了改善,且結構較為簡單、便于制備,相比于相關技術,可以避免出現高能X射線穿過低能X射線探測器的情況,進而可以避免出現相關技術中低能X射線探測器的穩定性和使用壽命較低的問題。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





