[發明專利]射線探測器基板及射線探測器

在審

• 申請號: 202011014668.3
• 申請日: 2020-09-24
• 公開（公告）號: CN112117290A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 周琳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方傳感技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/115
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種射線探測器基板，其特征在于，所述射線探測器基板包括：

襯底；

位于所述襯底一側的多個光電探測器；所述多個光電探測器包括多個第一光電探測器和多個第二光電探測器；

分別位于所述多個光電探測器遠離所述襯底一側的多個調光部；所述多個調光部包括位于每個第一光電探測器遠離所述襯底一側的第一調光部，和位于每個第二光電探測器遠離所述襯底一側的第二調光部；

位于所述多個調光部遠離所述襯底一側的第一閃爍體層；以及，

位于所述第一閃爍體層遠離所述襯底一側的第二閃爍體層；

其中，所述第二閃爍體層被配置為，將入射至所述第二閃爍體層的射線中的一部分射線轉換為第一輻射熒光，并使另一部分射線透過所述第二閃爍體層射向所述第一閃爍體層；

所述第一閃爍體層被配置為，將透過所述第二閃爍體層的所述另一部分射線轉換為第二輻射熒光，并使所述第一輻射熒光和所述第二輻射熒光射向所述多個調光部；所述一部分射線的平均能量小于所述另一部分射線的平均能量，所述第一輻射熒光的波長大于所述第二輻射熒光的波長；

所述第一調光部被配置為，反射所述第二輻射熒光，并使所述第一輻射熒光透過，被所述第一光電探測器探測；

所述第二調光部被配置為，反射所述第一輻射熒光，并使所述第二輻射熒光透過，被所述第二光電探測器探測。

2.根據權利要求1所述的射線探測器基板，其特征在于，每個調光部包括至少一層第一調光層，以及至少一層第二調光層；

所述調光部所包括的所有所述第一調光層和所有所述第二調光層中，最靠近所述襯底的膜層為所述第一調光層；

所述第一調光層的折射率小于所述第二調光層的折射率。

3.根據權利要求2所述的射線探測器基板，其特征在于，所述第一調光部中的第一調光層的厚度與所述第二調光部中的第一調光層的厚度相等或大致相等；

所述第一調光部中的第二調光層的厚度小于所述第二調光部中的第二調光層的厚度。

4.根據權利要求1所述的射線探測器基板，其特征在于，所述射線探測器基板具有多個探測區；

每個探測區內設置有呈陣列狀排布的至少兩個光電探測器；所述至少兩個光電探測器包括至少一個第一光電探測器和至少一個第二光電探測器。

5.根據權利要求1所述的射線探測器基板，其特征在于，所述第一閃爍體層的材料包括第一鈣鈦礦材料，所述第二閃爍體層的材料包括第二鈣鈦礦材料。

6.根據權利要求5所述的射線探測器基板，其特征在于，所述第一鈣鈦礦材料中的鹵離子和所述第二鈣鈦礦材料中的鹵離子不同，以使得所述第一輻射熒光的光譜和所述第二輻射熒光的光譜無重疊。

7.根據權利要求5所述的射線探測器基板，其特征在于，所述第一鈣鈦礦材料中的鹵離子包括氯離子、溴離子和碘離子中的至少一種；

所述第二鈣鈦礦材料中的鹵離子包括氯離子、溴離子和碘離子中的至少一種。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的射線探測器基板，其特征在于，所述第一閃爍體層的禁帶寬度大于所述第二閃爍體層的禁帶寬度。

9.根據權利要求1～7中任一項所述的射線探測器基板，入射至所述第二閃爍體層的射線包括第一能量射線和第二能量射線，所述第一能量射線的能量低于所述第二能量射線的能量；

被所述第二閃爍體層轉換的一部分射線包括所述第一能量射線中的至少一部分第一能量射線和所述第二能量射線中的一部分第二能量射線；

所述射線探測器基板還包括：位于所述第一閃爍體層和所述第二閃爍體層之間的過濾層；

所述過濾層被配置為，阻擋未被所述第二閃爍體層轉換的第一能量射線。

10.根據權利要求1～7中任一項所述的射線探測器基板，還包括：位于所述第二閃爍體層遠離所述襯底一側的反射層；

所述反射層被配置為，使射線透過所述反射層，射向所述第二閃爍體層，并對射向所述反射層的輻射熒光進行反射。