[發明專利]一種直寫式全息微縮加密方法有效
| 申請號: | 202011013542.4 | 申請日: | 2020-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN112068410B | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 廖香權;陳忠;彭義清;陳教飛;牛斌 | 申請(專利權)人: | 江蘇興廣包裝科技有限公司 |
| 主分類號: | G03H1/00 | 分類號: | G03H1/00 |
| 代理公司: | 北京錦信誠泰知識產權代理有限公司 11813 | 代理人: | 胡新瑞 |
| 地址: | 213166 江蘇省常州市武*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直寫式 全息 微縮 加密 方法 | ||
1.一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,包括如下操作步驟:
S1. 在基膜上涂布光學/力學可變信息層;
S2. 涂布保護油墨;
S3. 在所述保護油墨上形成成像層,并在所述成像層表面壓制全息微結構;
S4. 進行真空鍍鋁,形成真空鍍鋁層;
S5. 根據產品尺寸要求分切;
S6. 采用帶有微縮加密的電鑄鎳版模壓;
S7. 涂布不干膠;
S8. 模切,分切;所述步驟S1中的光學/力學可變信息層,按照重量份數計算,包括如下組分:油墨30~40份,兩親性芘衍生物材料20~30份,過渡金屬多酸化合物5~8份和含酰亞胺結構的主鏈型苯并噁嗪5~8份。
2.根據權利要求1所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,所述真空鍍鋁層包括如下組分:鋁絲20~30份,無機硅酸鹽基稀土晶體材料3~5份,磁性晶體材料5~10份和蝴蝶鱗粉10~20份。
3.根據權利要求2所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,所述無機硅酸鹽基稀土晶體材料是Li2SrSiO4、Li2BaSiO4或Li2MgSiO4中的任意一種。
4.根據權利要求1所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,所述過渡金屬多酸化合物是磷鉬酸、六鎢酸或氧化石墨烯摻雜的WO3/MoO3復合粉體中的任意一種。
5.根據權利要求1所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,所述步驟S1的操作方法是:將兩親性芘衍生物材料20~30份和過渡金屬多酸化合物5~8份加入到DMF溶劑中混合均勻形成混合溶液,將所述混合溶液涂覆在所述基膜上,形成厚度為0.01~0.1μm的復合膜,室溫下干燥后,將含酰亞胺結構的主鏈型苯并噁嗪5~8份溶于DMF中后,涂覆于所述復合膜上,厚度為0.01~0.1μm,室溫下干燥成膜后涂布油墨。
6.根據權利要求5所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,在所述步驟S1中,涂布所述油墨時,網紋輥采用陶瓷輥,油墨為透明,干涂量為0.2~0.25g/m2,烘干固化。
7.根據權利要求1所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,在所述步驟S3中涂布所述成像層時,網紋輥采用陶瓷輥,干涂量為0.6~0.8g/m2。
8.根據權利要求1所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,在進行真空鍍鋁時,真空鍍鋁層的厚度是10~14nm。
9.根據權利要求1所述的一種直寫式全息微縮加密方法,其特征在于,所述步驟S3中,在所述成像層表面壓制全息微結構,將版輥加熱至180~200℃,用0.5Pa的壓力將版輥上的全息微結構轉移到所述成像層上。
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