[發明專利]一種功率器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202011012348.4
• 申請日: 2020-09-24
• 公開（公告）號: CN111933690B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 張景超;趙善麒
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 陳紅橋

1.一種功率器件，其特征在于，包括：

N基體（1），所述N基體（1）上形成P-外延層（2），所述P-外延層（2）內設有溝槽（21）；

P-外延層（2），所述P-外延層（2）內緊靠所述溝槽（21）的側壁外沿著所述溝槽（21）的延伸方向形成有相互隔離的第一N+層（22）和第二N+層（23），所述第一N+層（22）電連接位于所述P-外延層（2）表面的源極（4）且與所述N基體（1）間隔開，所述第二N+層（23）電連接位于所述N基體（1）底部的漏極（5）且與所述源極（4）間隔開；

柵極（211），所述柵極（211）至少一部分形成在所述溝槽（21）內，且所述柵極（211）沿著所述第一N+層（22）和第二N+層（23）的排布方向延伸，當所述柵極（211）施加開啟電壓時，所述第一N+層（22）和第二N+層（23）之間的P-溝道層（24）形成橫向的導電溝道。

2.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述第一N+層（22）和所述N基體（1）之間通過第一P+層（25）隔開，所述第一P+層（25）至少一部分形成在所述P-外延層（2）中或者至少一部分形成在所述N基體（1）中。

3.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述第二N+層（23）和所述溝槽（21）的底部之間形成有第一P+層（25），所述第一P+層（25）包裹所述溝槽（21）的底部及底部側邊。

4.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述第一N+層（22）的底端高于所述溝槽（21）的底端，且在所述P-外延層（2）中，位于所述溝槽（21）的底部以及底部側邊的區域均形成有第一P+層（25）。

5.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述第一N+層（22）和所述P-溝道層（24）的外表面均形成有第二P+層（26）。

6.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述溝槽（21）上還設有絕緣介質層（3），所述絕緣介質層（3）和所述第二N+層（23）之間形成有第三P+層（27）。

7.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述溝槽（21）的側壁外沿所述第一N+層（22）和第二N+層（23）的排布方向交錯設置有多個所述第一N+層（22）和第二N+層（23），且任意兩個所述第一N+層（22）和第二N+層（23）之間均由所述P-溝道層（24）隔離。

8.根據權利要求1所述的一種功率器件，其特征在于，所述N基體（1）和所述P-外延層（2）的材料均為SiC。