[發(fā)明專利]殘膠清除方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011012230.1 | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112117184A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張哲瑋;蔡奇澄;賀遵火;吳仕偉 | 申請(專利權(quán))人: | 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 250000 山東省濟南市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清除 方法 | ||
一種殘膠清除方法,涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。該殘膠清除方法,用于清洗基板上的殘膠,該殘膠清除方法包括以下步驟:對基板進行冷凍處理,使附著在基板上的殘膠脆化;去除脆化的殘膠。該殘膠清除方法通過冷凍處理可使得殘膠脆化并斷裂,從而使得殘膠的特性改變而與基板表面解除黏附,這樣便能利于殘膠的去除,進而能夠有效改善基板上的殘膠不易去除的缺陷,同時在一定程度上也保障半導(dǎo)體器件的品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種殘膠清除方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中,通常需要在半導(dǎo)體基片上構(gòu)圖刻蝕形成孔洞或溝槽,在刻蝕前首先要在半導(dǎo)體基片表面涂覆光刻膠,從而利用光刻膠的準確曝光將所需的刻蝕圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的刻蝕基底上,光刻膠可以作為掩膜覆蓋在刻蝕區(qū)以外的區(qū)域,保護刻蝕區(qū)以外的半導(dǎo)體基底不被刻蝕。刻蝕過程中,半導(dǎo)體基片在等離子體環(huán)境下被刻蝕為需要的圖形,刻蝕完成后涂覆在半導(dǎo)體基片表面的光刻膠需要進行去除。
其中,在光刻膠去除過程中,光刻膠的殘膠缺陷是最難去除的,而殘留的光刻膠會對形成的半導(dǎo)體器件或顯示裝置的性能造成不利影響。現(xiàn)有技術(shù)中,為了去除殘膠通常采用化學(xué)試劑形成的清洗液對基板上的殘膠進行多次清洗,使之發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而去除。然而,一來,經(jīng)過長時間的清洗,其所需試劑用量較大,導(dǎo)致成本較高;二來,殘膠本身黏附于基板表面不容易被帶走,其清洗效果并不理想,且多次清洗容易造成基本相位的偏移或造成遮光層透光。
因此,亟待出現(xiàn)一種新的殘膠去除的方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件基板上的殘膠不易被清除的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種殘膠清除方法,該殘膠清除方法能夠有效改善基板上的殘膠不易去除的缺陷。
本發(fā)明的實施例是這樣實現(xiàn)的:
本發(fā)明提供一種殘膠清除方法,用于清洗基板上的殘膠,該殘膠清除方法包括以下步驟:對基板進行冷凍處理,使附著在基板上的殘膠脆化;去除脆化的殘膠。該殘膠清除方法通過冷凍處理可使得殘膠脆化,進而能夠有效改善基板上的殘膠不易去除的缺陷。
可選地,冷凍處理的冷凍溫度在5℃至15℃之間。
可選地,冷凍處理的冷凍時長在90min至120min之間。
可選地,上述步驟:去除脆化的殘膠,具體包括以下步驟:對基板進行清洗;去除清洗后的殘膠。
可選地,上述步驟:對基板進行清洗,具體包括:采用化學(xué)試劑對基板進行清洗,其中,化學(xué)試劑用于與殘膠進行化學(xué)反應(yīng)。
可選地,化學(xué)試劑為氨水。
可選地,氨水的濃度在28mol/L至30mol/L之間。
可選地,化學(xué)試劑為硫酸、雙氧水或者硫酸與雙氧水的混合液。
可選地,上述步驟:在去除清洗后的殘膠之后,還包括以下步驟:檢測基板上是否還殘留有殘膠;若是,則重新對基板進行冷凍處理,使附著在基板上的殘膠脆化。
可選地,上述步驟:在去除清洗后的殘膠之后,還包括以下步驟:檢測基板上是否還殘留有殘膠;若是,則重新對基板進行清洗。
本發(fā)明的有益效果包括:
本申請?zhí)峁┮环N殘膠清除方法,該殘膠清除方法主要用于清洗基板上的殘膠,該殘膠清除方法包括以下步驟:對基板進行冷凍處理,使附著在基板上的殘膠脆化;去除脆化的殘膠。如此一來,本申請通過對基板進行冷凍處理,可以使得附著于基板上的殘膠經(jīng)冷凍迅速脆化并斷裂,從而使得殘膠由粘彈態(tài)變?yōu)楣虘B(tài),殘膠的脆性增大后,其粘附性將對應(yīng)減小,表面吸附力也會降低,從而使得殘膠的特性改變而與基板表面解除黏附,這樣便能利于殘膠的去除,同時,也不會對基板表面造成損傷,在一定程度上保護了基板,進而使得基板得到有效清潔,在一定程度上也保障半導(dǎo)體器件的品質(zhì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





