[發(fā)明專利]殘膠清除方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011012230.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112117184A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張哲瑋;蔡奇澄;賀遵火;吳仕偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泉芯集成電路制造(濟(jì)南)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 250000 山東省濟(jì)南市*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清除 方法 | ||
1.一種殘膠清除方法,用于清洗基板上的殘膠,其特征在于,包括以下步驟:
對(duì)所述基板進(jìn)行冷凍處理,使附著在所述基板上的殘膠脆化;
去除脆化的所述殘膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述冷凍處理的冷凍溫度在5℃至15℃之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述冷凍處理的冷凍時(shí)長(zhǎng)在90min至120min之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述去除脆化的所述殘膠,包括:
對(duì)所述基板進(jìn)行清洗;
去除清洗后的所述殘膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述對(duì)所述基板進(jìn)行清洗包括:
采用化學(xué)試劑對(duì)所述基板進(jìn)行清洗,其中,所述化學(xué)試劑用于與所述殘膠進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述化學(xué)試劑為氨水。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述氨水的濃度在28mol/L至30mol/L之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的殘膠清除方法,其特征在于,所述化學(xué)試劑為硫酸、雙氧水或者硫酸與雙氧水的混合液。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的殘膠清除方法,其特征在于,在所述去除清洗后的所述殘膠之后,還包括:
檢測(cè)所述基板上是否還殘留有所述殘膠;
若是,則重新對(duì)所述基板進(jìn)行冷凍處理,使附著在所述基板上的殘膠脆化。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的殘膠清除方法,其特征在于,在所述去除清洗后的所述殘膠之后,還包括:
檢測(cè)所述基板上是否還殘留有所述殘膠;
若是,則重新對(duì)所述基板進(jìn)行清洗。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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