[發(fā)明專利]基板支承臺和等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011010375.8
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112614768A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫亮;高橋智之;佐佐木真也;佐佐木勝
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基板支承臺，其中，

該基板支承臺包括：

第1構(gòu)件，其在上部具有凹部，并為金屬制；

第2構(gòu)件，其設(shè)于所述第1構(gòu)件上，用于密封所述凹部，并為金屬制；

基板支承部，其設(shè)于所述第2構(gòu)件上；以及

一個以上的熱電元件，其配置于所述凹部，

所述凹部由傳熱介質(zhì)填滿。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支承臺，其中，

一個以上的所述熱電元件沿著所述基板支承部分散配置，

一個以上的所述熱電元件在所述基板支承部的周向上以均勻的間隔配置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板支承臺，其中，

一個以上的所述熱電元件在所述基板支承部的比其中心靠周緣側(cè)的位置密集地配置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的基板支承臺，其中，

所述第1構(gòu)件還包括供調(diào)溫介質(zhì)流通的流路，

所述流路以能夠切換第1冷機和第2冷機的方式連接于所述第1冷機和所述第2冷機，

自所述第1冷機供給的調(diào)溫介質(zhì)與自所述第2冷機供給的調(diào)溫介質(zhì)彼此溫度不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的基板支承臺，其中，

該基板支承臺還包括加熱器電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板支承臺，其中，

所述加熱器電極設(shè)于所述基板支承部與一個以上的所述熱電元件之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的基板支承臺，其中，

所述傳熱介質(zhì)為液體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的基板支承臺，其中，

所述傳熱介質(zhì)為非活性氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的基板支承臺，其中，

所述第1構(gòu)件包括一個以上的收納區(qū)域，

一個以上的所述收納區(qū)域沿著所述基板支承部配置，

一個以上的所述熱電元件分別與所述傳熱介質(zhì)一起收納于一個以上的所述收納區(qū)域的各個所述收納區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支承臺，其中，

所述第2構(gòu)件設(shè)于所述基板支承部與一個以上的所述收納區(qū)域之間，

一個以上的所述收納區(qū)域由所述凹部和所述第2構(gòu)件劃定形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的基板支承臺，其中，

所述熱電元件在所述凹部內(nèi)使用傳熱性的粘接劑固定于所述第1構(gòu)件。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項所述的基板支承臺，其中，

一個以上的所述熱電元件在所述基板支承部的周向上串聯(lián)地電連接。

13.一種等離子體處理裝置，其中，

該等離子體處理裝置包括權(quán)利要求1～12中任一項所述的基板支承臺。