[發(fā)明專利]用于基于動態(tài)接近度的管芯上終結(jié)的技術(shù)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011009812.4
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN113094303A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設計）人: S·卡瓦米;R·孫達拉姆;S·G·希姆斯特拉;S·M·沙阿;A·莫寧-史密斯;S·賈亞錢德蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F9/30
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉文燦

用于基于接近度的管芯上終結(jié)(ODT)技術(shù)包括存儲器設備，該存儲器設備基于存儲器設備與另一存儲器設備的接近度以及命令是讀取命令還是寫入命令，來確定在由耦合到與存儲器設備相同的數(shù)據(jù)通道的另一存儲器設備執(zhí)行命令的期間要應用什么ODT設置。

技術(shù)領域

本文所描述的示例總體上涉及用于存儲器設備處的管芯上終結(jié)(ondietermination)的技術(shù)。

背景技術(shù)

在具有與充當控制器的專用集成電路(ASIC)耦合的存儲器設備或管芯的一些存儲器系統(tǒng)中，在ASIC和存儲器設備二者上提供了多個管芯上終結(jié)(ODT)引腳，以在存儲器設備或管芯處控制內(nèi)阻終結(jié)(RTT)的值和ODT的開和關定時。這些ODT引腳通常需要ASIC和給定的存儲器設備或管芯之間的合作，以在對存儲器設備或管芯的讀取或?qū)懭氩僮髌陂g考慮RTT的適當?shù)臅r間量。

附圖說明

圖1示出了示例第一系統(tǒng)。

圖2示出了示例第一寄存器表。

圖3示出了示例第二寄存器表。

圖4示出了示例第三寄存器表。

圖5示出了示例第二系統(tǒng)。

圖6示出了示例第一邏輯流。

圖7示出了示例裝置。

圖8示出了示例第二邏輯流。

圖9示出了示例存儲介質(zhì)。

圖10示出了示例第三系統(tǒng)。

具體實施方式

與充當控制器的ASIC耦合以控制對存儲器設備的訪問的存儲器設備可以被部署在存儲設備中，例如但不限于固態(tài)驅(qū)動器(SSD)或雙列直插式存儲器模塊(DIMM)。在一些示例中，多個存儲器設備或管芯可以被包括在可以被稱為“封裝”的管芯組中。針對這些示例，多個封裝可以經(jīng)由單個數(shù)據(jù)或DQ通道與ASIC耦合。此外，多個DQ通道(例如，4到10個或更多)可以被包括在一些SSD解決方案或?qū)嵤┓绞街小Ｍǔ＃梢栽诒话ㄔ诜庋b中的每個存儲器設備或管芯處使用內(nèi)阻終結(jié)(RTT)，以減少由于反射而產(chǎn)生的噪聲并改善經(jīng)由DQ通道與ASIC耦合的封裝的信號完整性。通常通過每DQ通道使用多個ODT引腳以激活每個存儲器設備處的RTT來滿足當前的RTT需求。這總共需要ASIC上的10個ODT引腳，該ASIC充當用于這些SSD解決方案的控制器。對10個引腳的需要可能會負面地影響針對這些類型的SSD解決方案的成本，并且還可能會負面地限制針對ASIC的外形規(guī)格(form factor)。

圖1示出了示例系統(tǒng)100。在一些示例中，如圖1所示，系統(tǒng)100包括與被包括在多個封裝105中的多個存儲器設備120耦合的控制器110。在一些示例中，系統(tǒng)100可以是例如但不限于SSD的存儲設備。如本文所公開的，對一個或多個存儲器設備(例如，存儲器設備120)的引用可以包括一個或多個不同的存儲器類型。如本文所描述的，存儲器設備可以指代非易失性或易失性存儲器類型。一些非易失性存儲器類型可以是塊可尋址的(例如，NAND或NOR技術(shù))。其他非易失性存儲器類型可以是非易失性存儲器的字節(jié)或塊可尋址的類型，其具有三維(3-D)交叉點存儲器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括但不限于在下文中被稱為“3-D交叉點存儲器”的硫族相變材料(例如，硫族玻璃)。非易失性類型的存儲器還可以包括其他類型的字節(jié)或塊可尋址的非易失性存儲器，例如但不限于多閾值級NAND閃速存儲器、NOR閃速存儲器、單級或多級相變存儲器(PCM)、電阻存儲器、納米線存儲器、鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)、反鐵電存儲器、電阻存儲器(包括金屬氧化物基底、氧空位基底和導電橋隨機存取存儲器(CB-RAM))、自旋電子磁性結(jié)存儲器、磁隧穿結(jié)(MTJ)存儲器、疇壁(DW)和自旋軌道轉(zhuǎn)移(SOT)存儲器、基于晶閘管的存儲器、結(jié)合了憶阻器技術(shù)的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩MRAM(STT-MRAM)或上述存儲器中的任何存儲器的組合。