[發明專利]用于基于動態接近度的管芯上終結的技術

在審

• 申請號: 202011009812.4
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN113094303A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: S·卡瓦米;R·孫達拉姆;S·G·希姆斯特拉;S·M·沙阿;A·莫寧-史密斯;S·賈亞錢德蘭
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F9/30
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉文燦

1.一種存儲器設備，包括：

一個或多個寄存器，其被布置為維護管芯上終結(ODT)設置；以及

控制電路，其用于：

接收關于命令將由與相同的數據通道耦合的單獨的存儲器設備執行的指示；

讀取所述一個或多個寄存器，以基于指示所述單獨的存儲器設備與所述存儲器設備的接近度的第一組標識符，并且基于所述命令是讀取命令還是寫入命令，來確定在所述命令的執行期間要應用什么ODT設置。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，包括：所述存儲器設備位于包括所述單獨的存儲器設備的第一封裝上，所述存儲器設備被布置為用于所述第一封裝的終結存儲器設備。

3.根據權利要求2所述的存儲器設備，包括：所述第一組標識符被指派給所述第一封裝，以指示所述單獨的存儲器設備位于相同的封裝上，所述命令是寫入命令，所述控制電路用于使得所述存儲器設備在對所述單獨的存儲器設備的寫入操作期間提供Hi_z ODT設置。

4.根據權利要求1所述的存儲器設備，包括：所述存儲器設備位于包括至少一個其他存儲器設備的第一封裝上，所述存儲器設備被布置為用于所述第一封裝的終結存儲器設備，所述單獨的存儲器設備位于第二封裝上，所述第一組標識符被指派給所述第二封裝，所述第一組標識符用于指示所述單獨的存儲器設備位于不同的封裝上。

5.根據權利要求4所述的存儲器設備，包括：所述命令是讀取命令，所述控制電路用于使得所述存儲器設備：如果所述第二封裝位于所述第一封裝鄰近或附近，則在讀取操作期間提供第一ODT設置，或者如果所述第二封裝不位于所述第一封裝鄰近，則在所述讀取操作期間提供第二ODT設置。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，包括：所述命令是從存儲設備的控制器接收的。

7.根據權利要求6所述的存儲器設備，包括：所述存儲器設備包括非易失性類型的存儲器，所述存儲設備是固態驅動器。

8.根據權利要求7所述的存儲器設備，所述非易失性類型的存儲器包括：相變存儲器，納米線存儲器，鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，反鐵電存儲器，包括金屬氧化物基底、氧空位基底和導電橋隨機存取存儲器(CB-RAM)的電阻存儲器，自旋電子磁結存儲器，磁隧穿結(MTJ)存儲器，疇壁(DW)和自旋軌道轉移(SOT)存儲器，基于晶閘管的存儲器陣列，結合了憶阻器技術的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)或自旋轉移轉矩MRAM(STT-MRAM)。

9.一種裝置，包括：

輸入/輸出(I/O)接口電路，其用于與第一存儲器設備耦合；以及

電路，其用于執行程序邏輯，所述程序邏輯用于：

經由所述I/O接口電路在所述第一存儲器設備處對第一寄存器進行編程，以使得所述第一寄存器指示當所述第一存儲器設備是用于第一組存儲器設備的終結存儲器設備時要選擇的多個管芯上終結(ODT)類型，所述多個ODT類型基于是讀取命令還是寫入命令將由被包括在所述第一組存儲器設備中的第二存儲器設備執行還是將由被包括在第二組存儲器設備中的第三存儲器設備執行；以及

經由所述I/O接口電路在所述第一存儲器設備處對第二寄存器進行編程，以使得所述第二寄存器基于寫入命令將由所述第二存儲器設備還是由所述第三存儲器設備執行，來指示具有要應用的單獨的ODT設置的至少兩個ODT類型。

10.根據權利要求9所述的裝置，包括：所述第一組存儲器設備位于被指派有第一組標識符的第一封裝上，所述第二組存儲器設備位于被指派有第二組標識符的第二封裝上，其中，被包括在第三組存儲器設備中的第四存儲器設備位于被指派有第三組標識符的第三封裝上，所述第一封裝、所述第二封裝和所述第三封裝經由相同的數據總線耦合到所述I/O接口電路，所述第二封裝位于所述第一封裝的鄰近或附近，所述第三封裝不位于所述第一封裝鄰近。