[發明專利]一種鋰電池低耗電控制電路有效
| 申請號: | 202011009533.8 | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112260337B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 江保力;曹學武;王宇峰;劉輝聰;阮翔 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十二研究所 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 楊天嬌 |
| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鋰電池 耗電 控制電路 | ||
1.一種鋰電池低耗電控制電路,包括與所述鋰電池低耗電控制電路連接的負載電路,其特征在于:所述鋰電池低耗電控制電路包括依次連接的電池、開機控制單元(1)、電池通斷控制單元(2)和P-MOSFET晶體管V1,其中:
所述電池通斷控制單元(2)的輸入端連接所述開機控制單元(1)的輸出端,所述P-MOSFET晶體管V1的源極連接所述電池的正極,漏極連接所述負載電路的正極,柵極連接所述電池通斷控制單元(2)的輸出端;
所述電池為所述開機控制單元(1)、所述電池通斷控制單元(2)和所述負載電路供電,開機時,所述開機控制單元(1)輸出控制信號并通過所述電池通斷控制單元(2)控制所述P-MOSFET晶體管V1導通為所述負載電路供電,關機時,所述電池通斷控制單元(2)截止,控制所述P-MOSFET晶體管V1斷開,停止為所述負載電路供電;
所述開機控制單元(1),包括按鍵開關S1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、N-MOSFET晶體管V2和N-MOSFET晶體管V3,其中:
所述電阻R2的一端連接所述電池的正極,另一端經所述電阻R3連接所述電池的負極,所述電阻R2和所述電阻R3的公共端為第一公共端;
所述電阻R4的一端連接所述電池的正極,另一端經所述電阻R5連接所述電池的負極,所述電阻R4和所述電阻R5的公共端為第二公共端;
所述按鍵開關S1的一端連接所述電池的負極,另一端連接所述第一公共端;
所述N-MOSFET晶體管V2的柵極連接所述第一公共端,源極連接所述電池的負極,漏極連接所述第二公共端;
所述N-MOSFET晶體管V3的柵極連接所述第二公共端,源極連接所述電池的負極,漏極為所述開機控制單元(1)的輸出端,并連接所述電池通斷控制單元(2)的輸入端;
或所述開機控制單元(1),包括按鍵開關S1、電阻R2、電阻R4、NPN晶體管A2和NPN晶體管A3,其中:
所述電阻R2的一端連接所述電池的正極,另一端連接所述按鍵開關S1和所述NPN晶體管A2的基極,所述按鍵開關S1的另一端和所述NPN晶體管A2的發射極連接所述電池的負極;
所述電阻R4的一端連接所述電池的正極,另一端連接所述NPN晶體管A2的集電極和所述NPN晶體管A3的基極,所述NPN晶體管A3的發射極連接所述電池的負極,集電極為所述開機控制單元(1)的輸出端,并連接所述電池通斷控制單元(2)的輸入端。
2.如權利要求1所述的鋰電池低耗電控制電路,其特征在于:所述電池通斷控制單元(2),包括電阻R6、電阻R7和N-MOSFET晶體管V4,其中:
所述電阻R6的一端連接所述電池的正極,另一端經所述電阻R7連接所述N-MOSFET晶體管V4的漏極,所述N-MOSFET晶體管V4的源極連接所述電池的負極,柵極連接微控制單元或嵌入式控制器,漏極為所述電池通斷控制單元(2)的輸入端,并連接所述開機控制單元(1)的輸出端;
所述電阻R6和所述電阻R7的公共端為第三公共端,所述第三公共端為所述電池通斷控制單元(2)的輸出端,所述P-MOSFET晶體管V1的柵極連接所述第三公共端。
3.如權利要求1所述的鋰電池低耗電控制電路,其特征在于:所述電池通斷控制單元(2),包括電阻R6、電阻R7和NPN晶體管A4,其中:
所述電阻R6的一端連接所述電池的正極,另一端經所述電阻R7連接所述NPN晶體管A4的集電極,所述NPN晶體管A4的發射極連接所述電池的負極,基極連接微控制單元或嵌入式控制器,集電極為所述電池通斷控制單元(2)的輸入端,并連接所述開機控制單元(1)的輸出端;
所述電阻R6和所述電阻R7的公共端為第三公共端,所述第三公共端為所述電池通斷控制單元(2)的輸出端,所述P-MOSFET晶體管V1的柵極連接所述第三公共端。
4.如權利要求1至3任一權利要求所述的鋰電池低耗電控制電路,其特征在于:所述按鍵開關S1為自動復位式按鍵開關。
5.如權利要求4所述的鋰電池低耗電控制電路,其特征在于:所述按鍵開關S1還連接有按鍵防抖電路。
6.如權利要求4所述的鋰電池低耗電控制電路,其特征在于:所述P-MOSFET晶體管V1還連接有用于使其延時導通的電路。
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