[發明專利]用投影光學器件實現通過抗蝕劑厚度的傾斜圖案化的方法

在審

• 申請號: 202011007793.1
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN113009786A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 劉昌華;莫建勇;張亮
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;申屠偉進

用投影光學器件實現通過抗蝕劑厚度的傾斜圖案化的方法。本文中公開的實施例包括用于非正交圖案化的光刻圖案化系統和利用這樣的圖案化形成的器件。在實施例中，光刻圖案化系統包括光化輻射源，其中光化輻射源被配置為沿著光軸傳播光。在實施例中，光刻圖案化系統進一步包括掩模底座，其中掩模底座可配置為將掩模表面相對于光軸以第一角度定向。在實施例中，光刻圖案化系統進一步包括透鏡模塊和基板底座，其中基板底座可配置為將基板表面相對于光軸以第二角度定向。

技術領域

本公開的實施例涉及半導體器件，并且更特別地涉及用于提供傾斜圖案化的投影光學系統。

背景技術

傳統的光刻法假定用于曝光抗蝕劑層的光化輻射（actinic radiation）的豎直投影。照此，曝光圖像場被豎直投影到抗蝕劑中，并且圖案化到抗蝕劑層中的結果得到的特征將基本上位于垂直于抗蝕劑層的表面。利用這樣的豎直投影光刻被設計或制造的器件（例如，晶體管器件、封裝層、微機電系統（MEMS）等）將具有水平線和垂直通孔。

在一些應用中，期望成角度的結構。例如，MEMS器件可以利用成角度的結構或引腳。目前，成角度的圖案化是通過相對于光化輻射的路徑使基板成角度來實現的。然而，這樣的配置目前不能跨圖像平面的表面之上提供高分辨率。這是因為基板具有距聚焦透鏡的不均勻距離。照此，圖像平面不在所有位置處落在基板上，并且圖像的部分是模糊的。這樣的限制限制了結果得到的引腳的縱橫比。

附圖說明

圖1是具有傾斜基板的成像系統的橫截面圖示。

圖2A是根據實施例的具有傾斜標線片（reticle）和傾斜基板的成像系統的橫截面圖示。

圖2B是根據實施例的光化成像系統的橫截面圖示，該光化成像系統具有傾斜的標線片、傾斜的基板和基板之上的棱鏡。

圖3A是根據實施例的成像系統的橫截面圖示，該成像系統在基板上具有對準相機和圖像捕獲相機。

圖3B是根據實施例的成像系統的橫截面圖示，該成像系統具有對準相機和基板之上的光致抗蝕劑層。

圖4A是根據實施例的基板之上的光致抗蝕劑的橫截面圖示。

圖4B是根據實施例的在利用成角度的圖案化過程將開口圖案化到光致抗蝕劑中之后的橫截面圖示。

圖4C是根據實施例的在引腳被設置在開口中之后的橫截面圖示。

圖4D是根據實施例的在移除光致抗蝕劑之后的橫截面圖示。

圖5A是根據實施例的具有圖案化到光致抗蝕劑中的均勻寬度的開口的橫截面圖示。

圖5B是根據實施例的具有均勻寬度的引腳的橫截面圖示。

圖6A是根據實施例的具有圖案化到光致抗蝕劑中的不均勻寬度的開口的橫截面圖示。

圖6B是根據實施例的具有不均勻寬度的引腳的橫截面圖示。

圖7是根據實施例構建的計算設備的示意圖。

具體實施方式

本文中描述了根據各種實施例的具有傾斜結構的電子封裝，該傾斜結構利用投影光學器件來圖案化。在下面的描述中，將使用本領域技術人員通常采用的術語來描述說明性實現的各個方面，以向本領域其他技術人員傳達他們的工作的實質。然而，對于本領域技術人員而言將清楚的是，本發明可以僅利用所描述的一些方面來實踐。出于解釋的目的，闡述了具體的數字、材料和配置，以便提供對說明性實現的透徹理解。然而，對于本領域技術人員而言將清楚的是，可以在沒有具體細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，省略或簡化了公知的特征，以免模糊說明性的實現。

各種操作將以最有助于理解本發明的方式依次被描述為多個離散操作，然而，描述的次序不應被解釋為暗示這些操作必定依賴于次序。特別地，這些操作不需要按照呈現的次序來執行。