[發明專利]具有靜電卡盤的基板處理系統和靜電卡盤的制造方法

在審

• 申請號: 202011007636.0
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112736007A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 李東穆;李相起
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;王艷春

提供了靜電卡盤、靜電卡盤的制造方法以及包括靜電卡盤的基板處理系統，所述靜電卡盤通過去除介電層的除DC電極和加熱器電極之外的一部分并在其上沉積新的介電層而被制造為能夠被重復使用。所述靜電卡盤的制造方法包括：在使用靜電卡盤之后，從靜電卡盤的第一介電層去除其未形成有電極的上部的一部分的步驟；在去除了上部的一部分的第一介電層上沉積第二介電層的步驟；以及將第二介電層圖案化使得靜電卡盤能夠被重復使用的步驟。

技術領域

本發明涉及靜電卡盤、靜電卡盤的制造方法以及具有靜電卡盤的基板處理系統。更詳細地，本發明涉及制造為能夠被重復使用的靜電卡盤、靜電卡盤的制造方法以及具有靜電卡盤的基板處理系統。

背景技術

半導體元件可以通過在基板上形成規定的圖案來制造。當在基板上形成規定的圖案時，可以在用于半導體制造工藝的設備中連續執行沉積工藝(depositing process)、光刻工藝(lithography process)、蝕刻工藝(etching process)等多個工藝。

發明內容

解決的技術問題

由于用于制造半導體元件的靜電卡盤(ESC)屬于高價裝置而在購入時耗費較多的費用，因此建議重復使用。

為了重復使用靜電卡盤，必須去除包括DC電極(DC Electrode)、加熱器電極(Heater Electrode)等的介電層整體，并重新生成整體介電層。

然而，將電極再次圖案化(patterning)并層壓介電層以便重新生成整個介電層具有花費時間較多且費用昂貴的缺點。

本發明要解決的問題在于提供靜電卡盤和靜電卡盤的制造方法，其中，通過去除介電層的除DC電極和加熱器電極之外的一部分并在介電層上沉積新的介電層來制造能夠被重復使用的靜電卡盤。

此外，本發明要解決的問題在于提供包括靜電卡盤的基板處理系統，其中，該靜電卡盤通過去除介電層的除DC電極和加熱器電極之外的一部分并在介電層上沉積新的介電層來制造為能夠被重復使用。

本發明的問題不限于在上文中提及的問題，并且本領域的技術人員將通過下面的記載可以清楚地理解未提及的問題或其他問題。

問題的解決方案

為解決上述問題的、本發明的靜電卡盤的制造方法的一個方面包括：在使用靜電卡盤(ESC)之后，從上述靜電卡盤的第一介電層去除其未形成有電極的上部的一部分的步驟；在去除了上述上部的一部分的上述第一介電層上沉積第二介電層的步驟；以及將上述第二介電層圖案化使得上述靜電卡盤能夠被重復使用的步驟。

上述第一介電層的上部設置有壩，并且在上述去除步驟中，可以去除上述壩，從而去除上述上部的一部分。

在上述沉積步驟中，可以使用氣溶膠沉積工藝(Aerosol Deposition)在上述第一介電層上沉積上述第二介電層。

在上述沉積步驟中，可以在上述第一介電層上沉積上述第二介電層，使得上述第二介電層具有1μm至50μm的高度。

在上述沉積步驟中，可以在上述第一介電層上沉積上述第二介電層，使得上述第二介電層包括氮化鋁(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化釔(Y₂O₃)、氟氧化釔(YOF)和藍寶石(Sapphire)中的至少一種成分。

在上述圖案化步驟中，可以將上述第二介電層圖案化，使得在上述第二介電層的上部形成壩。

在上述圖案化步驟中，可以將上述第二介電層圖案化，使得形成與在使用上述靜電卡盤之前形成在上述第一介電層的上部的壩相同形態的壩。