[發(fā)明專利]具有靜電卡盤的基板處理系統(tǒng)和靜電卡盤的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011007636.0
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112736007A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李東穆;李相起
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;王艷春

1.靜電卡盤的制造方法，包括：

在使用靜電卡盤之后，從所述靜電卡盤的第一介電層去除其未形成有電極的上部的一部分的步驟；

在去除了所述上部的一部分的所述第一介電層上沉積第二介電層的步驟；以及

將所述第二介電層圖案化使得所述靜電卡盤被能夠被重復(fù)使用的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一介電層的上部設(shè)置壩，以及

在所述去除步驟中，去除所述壩，從而去除所述上部的一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述沉積步驟中，使用氣溶膠沉積工藝在所述第一介電層上沉積所述第二介電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述沉積步驟中，在所述第一介電層上沉積所述第二介電層，使得所述第二介電層具有1μm至50μm的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述沉積步驟中，在所述第一介電層上沉積所述第二介電層，使得所述第二介電層包括氮化鋁、碳化硅、氧化鋁、氧化釔、氟氧化釔和藍(lán)寶石中的至少一種成分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述圖案化步驟中，將所述第二介電層圖案化，使得在所述第二介電層的上部形成壩。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在所述圖案化步驟中，將所述第二介電層圖案化，使得形成與在所述靜電卡盤被使用之前形成在所述第一介電層的上部的壩相同形態(tài)的壩。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成在所述第二介電層的上部的壩的高度與在所述靜電卡盤被使用之前形成在所述第一介電層的上部的壩的高度相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電極包括DC電極和加熱器電極，其中，所述DC電極用于基板的處理，所述加熱器電極用于控制所述基板的溫度。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述去除步驟中，在所述壩的高度不均勻的情況下去除所述壩。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二介電層具有與所述第一介電層相同的成分，或者包括具有耐蝕刻性的成分。

12.靜電卡盤的制造方法，包括：

在使用靜電卡盤之后，從所述靜電卡盤的第一介電層去除其未形成有電極的上部的一部分的步驟；

在去除了所述上部的一部分的所述第一介電層上沉積第二介電層的步驟；以及

將所述第二介電層圖案化使得所述靜電卡盤能夠被重復(fù)使用的步驟，

其中，在所述第一介電層的上部設(shè)置壩，

其中，在所述去除步驟中，在所述壩的高度不均勻的情況下去除所述壩，從而去除所述上部的一部分，以及

在所述圖案化步驟中，將所述第二介電層圖案化，使得在所述第二介電層的上部形成壩，

其中，所述第二介電層包括具有耐蝕刻性的成分。

13.基板處理系統(tǒng)，包括：

殼體；

噴頭，設(shè)置在所述殼體的內(nèi)部上側(cè)，并且使用于蝕刻基板的工藝氣體流入所述殼體的內(nèi)部；以及

支承單元，設(shè)置在所述殼體的內(nèi)部下側(cè)，并且包括靜電卡盤、基底和聚焦環(huán)，其中，所述靜電卡盤用于安置所述基板，所述基底支承所述靜電卡盤，所述聚焦環(huán)設(shè)置在所述靜電卡盤的側(cè)表面上，

其中，所述靜電卡盤在被用于處理所述基板之后，通過從第一介電層去除其未形成有電極的上部的一部分、在去除了所述上部的一部分的所述第一介電層上沉積第二介電層并且將所述第二介電層圖案化而被制造為能夠被重復(fù)使用。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其中，在所述第一介電層的上部設(shè)置壩，以及

在所述壩的高度不均勻的情況下去除所述壩，從而去除所述上部的一部分。