[發明專利]PN體接觸場效應晶體管

在審

• 申請號: 202011007417.2
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112992896A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: A·D·利拉克;K·M·富利;S·哈桑;P·莫羅;W·拉赫馬迪
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳涵瀛;姜冰

本文公開的是PN體接觸場效應晶體管（PNBTFET）以及相關裝置及方法。在一些實施例中，集成電路（IC）結構可以包括：鰭，所述鰭包括溝道區域、接觸區域以及在所述接觸區域與所述溝道區域之間的中間區域，其中，所述溝道區域包括第一類型的摻雜劑，所述中間區域包括與所述第一類型不同的第二類型的摻雜劑，并且所述接觸區域包括所述第一類型的摻雜劑；柵極，所述柵極至少部分地環繞所述溝道區域；以及導電接觸部，所述導電接觸部與接觸區域接觸。

背景技術

晶體管可通過多個度量來特征化。例如，晶體管的閾下斜率可以指示晶體管的切換速度，其中較陡的閾下斜率與較大的切換速度相關聯。

附圖說明

實施例通過結合附圖的如下詳細描述將容易理解。為了促進此描述，相似的附圖標記標示相似的結構元件。實施例在附圖的各圖中作為示例而非作為限制進行圖示。

圖1A-1B是根據各種實施例的集成電路（IC）結構的橫截面視圖。

圖2A-2B、3A-3B、4A-4B、5A-5B、6A-6B、7A-7B、8A-8B、9A-9B、10A-10B、11A-11B、12A-12B、13A-13B、14A-14B和15A-15B是根據各種實施例的制造圖1的IC結構的示例過程中的階段。

圖16A-16B、17A-17B和18A-18B是根據各種實施例的示例IC結構的橫截面視圖。

圖19是可以包括根據本文公開的實施例中的任一實施例的、本文公開的IC結構中的任一IC結構的晶片和管芯的頂視圖。

圖20是可以包括根據本文公開的實施例中的任一實施例的、本文公開的IC結構中的任一IC結構的IC裝置的側橫截面視圖。

圖21是可以包括根據各種實施例的、本文公開的IC結構中的任一IC結構的IC封裝的側橫截面視圖。

圖22是可以包括根據本文公開的實施例中的任一實施例的、本文公開的IC結構中的任一IC結構的IC裝置組件的側橫截面視圖。

圖23是可以包括根據本文公開的實施例中的任一實施例的、本文公開的IC結構中的任一IC結構的示例電氣裝置的框圖。

具體實施方式

本發明公開的是PN體接觸（PN-body-tied）場效應晶體管（PNBTFET）以及相關裝置及方法。在一些實施例中，集成電路（IC）結構可以包括：鰭，所述鰭包括溝道區域、接觸區域以及在所述接觸區域與所述溝道區域之間的中間區域，其中，所述溝道區域包括第一類型的摻雜劑，所述中間區域包括與所述第一類型不同的第二類型的摻雜劑，并且所述接觸區域包括所述第一類型的摻雜劑；柵極，所述柵極至少部分地環繞所述溝道區域；以及導電接觸部，所述導電接觸部與接觸區域接觸。

本文所公開的PNBTFET可展現比一些常規晶體管更陡的閾下斜率，且可使用大量制造（HVM）技術容易地制造。先前的PNBTFET結構大部分是平面的，具有大的占用面積，并且利用了昂貴的材料和制造操作，限制了在商業裝置中采用PNBTFET。本文所公開的PNBTFET及相關方法和裝置可使能IC裝置中PNBTFET的高效且具成本效益的制造，從而允許此類裝置實現較大的切換速度和/或減少其功率消耗。本文所公開的PNBTFET的使用可在低功率移動設置（例如，可穿戴及手持通信裝置）中尤其有利。