[發明專利]PN體接觸場效應晶體管

在審

• 申請號: 202011007417.2
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112992896A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: A·D·利拉克;K·M·富利;S·哈桑;P·莫羅;W·拉赫馬迪
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳涵瀛;姜冰

1.一種集成電路（IC）結構，包括：

鰭，所述鰭包括溝道區域、接觸區域、以及在所述接觸區域與所述溝道區域之間的中間區域，其中，所述溝道區域包括第一類型的摻雜劑，所述中間區域包括與所述第一類型不同的第二類型的摻雜劑，并且所述接觸區域包括所述第一類型的摻雜劑；

至少部分環繞所述溝道區域的柵極；以及

與所述接觸區域接觸的導電接觸部。

2.根據權利要求1所述的IC結構，其中所述溝道區域在所述鰭的頂部部分中，并且所述接觸區域在所述鰭的底部部分中。

3.根據權利要求1所述的IC結構，其中所述第一類型是p型并且所述第二類型是n型，或所述第一類型是n型并且所述第二類型是p型。

4.根據權利要求1所述的IC結構，其中所述接觸區域中的摻雜劑水平大于所述溝道區域中的摻雜劑水平。

5.根據權利要求1所述的IC結構，其中所述接觸區域中的摻雜劑水平比所述溝道區域中的摻雜劑水平大至少兩個數量級。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的IC結構，還包括：

接近所述溝道區域的源極/漏極（S/D）區域，其中所述S/D區域包括所述第二類型的摻雜劑。

7.根據權利要求1所述的IC結構，其中所述接觸區域在所述導電接觸部和所述中間區域之間。

8.一種集成電路（IC）管芯，包括：

晶體管，所述晶體管包括：

溝道區域、接觸區域、和中間區域，其中，所述溝道區域在所述接觸區域上方，并且所述接觸區域在所述中間區域上方，所述溝道區域包括第一類型的摻雜劑，所述中間區域包括與所述第一類型不同的第二類型的摻雜劑，并且所述接觸區域包括所述第一類型的摻雜劑，以及

柵極，其中所述溝道區域在所述柵極與所述中間區域之間。

9.根據權利要求8所述的IC管芯，其中所述柵極至少部分環繞所述溝道區域。

10.根據權利要求8所述的IC管芯，還包括：

在所述接觸區域的側面上的電介質材料；

其中所述柵極接觸所述電介質材料。

11.根據權利要求8-10中任一項所述的IC管芯，其中所述柵極接觸所述溝道區域的側面。

12.根據權利要求8-10中任一項所述的IC管芯，其中所述晶體管還包括：

與所述接觸區域接觸的導電接觸部。

13.根據權利要求12所述的IC管芯，其中所述接觸區域在所述導電接觸部與所述中間區域之間。

14.根據權利要求12所述的IC管芯，還包括：

與所述導電接觸部電接觸的一個或多個金屬化層。

15.根據權利要求8-10中任一項所述的IC管芯，其中所述晶體管還包括：

接近所述溝道區域的源極/漏極（S/D）區域，其中所述S/D區域包括所述第二類型的摻雜劑。

16. 一種計算裝置，包括：

電路板；以及

耦合到所述電路板的集成電路（IC）封裝，其中：

所述IC封裝包括IC管芯，

所述IC管芯包括晶體管，所述晶體管具有柵極、溝道區域、和接觸區域，以及

所述溝道區域在所述柵極和所述接觸區域之間。

17.根據權利要求16所述的計算裝置，其中所述IC管芯還包括：

與所述接觸區域接觸的導電接觸部。