[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011006742.7 | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112599564A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金永大;金真錫 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光二極管 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,包括:
包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的基板;
被布置在所述基板上在所述顯示區(qū)域中的像素結(jié)構(gòu);
被布置在所述基板上在所述外圍區(qū)域中并且圍繞所述像素結(jié)構(gòu)的下阻擋構(gòu)件,所述下阻擋構(gòu)件包括與所述像素結(jié)構(gòu)鄰近的第一側(cè)表面、與所述第一側(cè)表面相對的第二側(cè)表面以及被布置在所述第一側(cè)表面與所述第二側(cè)表面之間的頂表面;
被布置在所述下阻擋構(gòu)件的所述頂表面和所述第二側(cè)表面上的上阻擋構(gòu)件,所述上阻擋構(gòu)件與所述下阻擋構(gòu)件一起構(gòu)成第一阻擋結(jié)構(gòu);以及
金屬構(gòu)件,所述金屬構(gòu)件被布置在所述第一阻擋結(jié)構(gòu)與所述基板之間,并且接觸所述上阻擋構(gòu)件的被布置在所述下阻擋構(gòu)件的所述第二側(cè)表面上的底表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,進一步包括:被布置在所述第一阻擋結(jié)構(gòu)與所述基板之間的絕緣間層,所述絕緣間層包括無機材料,
其中,所述金屬構(gòu)件被布置在所述上阻擋構(gòu)件的所述底表面與所述絕緣間層之間,并且防止所述上阻擋構(gòu)件的所述底表面接觸所述絕緣間層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,進一步包括:第二阻擋結(jié)構(gòu),所述第二阻擋結(jié)構(gòu)在所述基板上被布置在所述外圍區(qū)域中,同時在第一方向上與所述下阻擋構(gòu)件的所述第一側(cè)表面間隔開,所述第一方向是從所述外圍區(qū)域到所述顯示區(qū)域的方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,進一步包括:被布置在所述第二阻擋結(jié)構(gòu)與所述基板之間的第一電源線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,進一步包括:被布置在所述第二阻擋結(jié)構(gòu)與所述第一電源線之間的連接電極,所述連接電極在與所述第一方向相反的第二方向上延伸,并且被布置在所述下阻擋構(gòu)件的所述頂表面的至少一部分和所述第一側(cè)表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,其中,所述上阻擋構(gòu)件在所述第一方向上延伸,并且被布置在所述下阻擋構(gòu)件的所述第一側(cè)表面上,并且
所述上阻擋構(gòu)件的所述底表面進一步被布置在所述下阻擋構(gòu)件的所述第一側(cè)表面上,并且接觸所述連接電極,并且
其中,所述上阻擋構(gòu)件在平面圖中與所述下阻擋構(gòu)件完全重疊,使得防止所述下阻擋構(gòu)件被暴露。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,其中,所述連接電極被布置在所述下阻擋構(gòu)件的所述第二側(cè)表面上,并且
所述連接電極接觸所述金屬構(gòu)件,并且
其中,所述連接電極在平面圖中與所述下阻擋構(gòu)件完全重疊,使得防止所述下阻擋構(gòu)件被暴露。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,進一步包括:
半導體元件,所述半導體元件在所述基板上被布置在所述顯示區(qū)域中,同時在所述第一方向上與所述第一電源線間隔開;以及
在所述基板上被布置在所述第一電源線與所述半導體元件之間的第二電源線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,其中,所述像素結(jié)構(gòu)包括:
被布置在所述半導體元件上的下電極;
被布置在所述下電極上的發(fā)光層;以及
被布置在所述發(fā)光層上的上電極,并且
所述連接電極在所述第一方向上延伸以接觸所述上電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備,進一步包括:
被布置在所述上電極、所述第一阻擋結(jié)構(gòu)和所述第二阻擋結(jié)構(gòu)上的第一無機薄膜封裝層;
被布置在所述第一無機薄膜封裝層上的有機薄膜封裝層;以及
被布置在所述第一無機薄膜封裝層和所述有機薄膜封裝層上的第二無機薄膜封裝層,所述第二無機薄膜封裝層與所述第一無機薄膜封裝層和所述有機薄膜封裝層一起構(gòu)成薄膜封裝結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





