[發明專利]有機發光二極管顯示設備在審
| 申請號: | 202011006742.7 | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112599564A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 金永大;金真錫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 設備 | ||
一種有機發光二極管顯示設備,包括:基板、像素結構、下阻擋構件、上阻擋構件以及金屬構件。基板包括顯示區域和外圍區域。像素結構在基板上在顯示區域中。下阻擋構件在基板上在外圍區域中并且圍繞像素結構,并且包括與像素結構鄰近的第一側表面、第二側表面和頂表面。上阻擋構件在下阻擋構件的頂表面和第二側表面上,并且與下阻擋構件構成第一阻擋結構。金屬構件在第一阻擋結構與基板之間,同時與上阻擋構件的在下阻擋構件的第二側表面上的底表面接觸。
技術領域
示例性實施例總體上涉及有機發光二極管顯示設備。更具體地,本發明的示例性實施例涉及包括阻擋構件的有機發光二極管顯示設備。
背景技術
平板顯示設備由于其重量輕和薄的特性而正在取代陰極射線管顯示設備。例如,這樣的平板顯示設備包括液晶顯示設備和有機發光二極管顯示設備。
近來,已經開發了柔性有機發光二極管顯示設備。在有機發光二極管顯示設備中,下基板和上基板由柔性材料形成,以使有機發光二極管顯示設備的一部分可以被彎曲或折疊。例如,下基板可以包括柔性基板,并且上基板可以包括薄膜封裝結構。在此情況下,薄膜封裝結構可以具有其中無機層和有機層被交替堆疊的結構,并且阻擋結構可以被布置在柔性有機發光二極管顯示設備的外周部分以防止有機層的回流。
發明內容
隨著在制造柔性有機發光二極管顯示設備的下電極的工藝中使用的蝕刻劑被改變,可以相對減小被布置在阻擋結構下的絕緣層的粗糙度,以使可以減小阻擋結構與絕緣層之間的接觸表面,這可能導致接觸故障,并且結果是,可能發生柔性有機發光二極管顯示設備的故障。
一些示例性實施例提供了包括阻擋構件的有機發光二極管顯示設備。
根據示例性實施例,一種有機發光二極管顯示設備包括:基板、像素結構、下阻擋構件、上阻擋構件以及金屬構件。基板包括顯示區域和外圍區域。像素結構被布置在基板上在顯示區域中。下阻擋構件被布置在基板上在外圍區域中并且圍繞像素結構,并且包括與像素結構鄰近的第一側表面、與第一側表面相對的第二側表面以及被布置在第一側表面與第二側表面之間的頂表面。上阻擋構件被布置在下阻擋構件的頂表面和第二側表面上,并且與下阻擋構件一起構成第一阻擋結構。金屬構件被布置在第一阻擋結構與基板之間,并且接觸上阻擋構件的被布置在下阻擋構件的第二側表面上的底表面。
在示例性實施例中,有機發光二極管顯示設備可以進一步包括:被布置在第一阻擋結構與基板之間的絕緣間層,并且絕緣間層可以包括無機材料。金屬構件可以被布置在上阻擋構件的底表面與絕緣間層之間,并且防止上阻擋構件的底表面接觸絕緣間層。
在示例性實施例中,有機發光二極管顯示設備可以進一步包括:第二阻擋結構,該第二阻擋結構在基板上被布置在外圍區域中,同時在第一方向上與下阻擋構件的第一側表面間隔開,第一方向是從外圍區域到顯示區域的方向。
在示例性實施例中,有機發光二極管顯示設備可以進一步包括:被布置在第二阻擋結構與基板之間的第一電源線。
在示例性實施例中,有機發光二極管顯示設備可以進一步包括:被布置在第二阻擋結構與第一電源線之間的連接電極,并且該連接電極可以在與第一方向相反的第二方向上延伸,并且被布置在下阻擋構件的頂表面的至少一部分和第一側表面上。
在示例性實施例中,上阻擋構件可以在第一方向上延伸,并且被布置在下阻擋構件的第一側表面上,并且上阻擋構件的底表面可以進一步被布置在下阻擋構件的第一側表面上,并且接觸連接電極。
在示例性實施例中,上阻擋構件在平面圖中可以與下阻擋構件完全重疊,使得防止下阻擋構件被暴露。
在示例性實施例中,連接電極可以被布置在下阻擋構件的第二側表面上,并且連接電極可以接觸金屬構件。
在示例性實施例中,連接電極在平面圖中可以與下阻擋構件完全重疊,使得防止下阻擋構件被暴露。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





