[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011005023.3
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112768451A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 崔宰福;安秀智;安容奭;李承炯
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

一種半導體器件，包括：襯底，沿第一方向順序布置的單元區域、邊界區域、外圍區域；有源圖案，在單元區域中沿第二方向延伸，第二方向相對于第一方向形成第一銳角；以及邊界圖案，在單元區域中且與邊界區域直接相鄰。邊界圖案包括沿第二方向延伸的第一側表面和從第一側表面沿第三方向延伸的第一邊界表面，第三方向與第一方向垂直，且第一邊界表面限定單元區域和邊界區域之間的邊界。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年10月21日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2019-0130587的優先權，其全部公開內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體器件及其制造方法，并且更具體地，涉及一種包括單元區域、外圍區域和二者之間的邊界區域的半導體器件及所述半導體器件的制造方法。

背景技術

隨著半導體器件變得高度集成化，各個電路圖案也變得越來越小型化，以便在相同區域內實現更多的半導體器件。

諸如動態隨機存取存儲器(DRAM)的半導體存儲器件可以包括單元區域和圍繞該單元區域的外圍區域。在外圍區域中，可以設置控制形成在單元區域中的半導體存儲器單元所需的各種電路。

發明內容

因為清楚地限定了單元區域和邊界區域之間的邊界，由此本公開的方面提供了一種具有改善的產品可靠性的半導體器件。

因為清楚地限定了單元區域和邊界區域之間的邊界，由此本公開的方面還提供了一種制造具有改善的產品可靠性的半導體器件的方法。

然而，本公開的方面不限于本文闡述的內容。通過參考下面給出的本公開的詳細描述，本公開的上述和其他方面對于本公開所屬領域的普通技術人員而言將變得更加清楚。

根據本發明的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：襯底，包括沿第一方向順序布置的單元區域、邊界區域和外圍區域；有源圖案，在單元區域中沿第二方向延伸，第二方向相對于第一方向形成第一銳角；以及邊界圖案，形成在單元區域中并與邊界區域直接相鄰，其中，邊界圖案包括沿第二方向延伸的第一側表面和從第一側表面沿第三方向延伸的第一邊界表面，第三方向與第一方向垂直，并且第一邊界表面限定單元區域和邊界區域之間的邊界。

根據本發明的另一方面，提供了一種半導體器件，包括：襯底，包括單元區域、在單元區域周圍的外圍區域、以及在單元區域與外圍區域之間的邊界區域；多個有源圖案，在單元區域中；第一邊界圖案，形成在單元區域中并包括第一邊界表面，第一邊界表面限定單元區域和邊界區域之間的邊界的第一部分；以及柵電極，沿第一方向延伸并跨越多個有源圖案和第一邊界圖案，其中，在與第一邊界表面相交并沿第一方向延伸的切割平面中，有源圖案中的每一個的第一寬度大于第一邊界圖案的第二寬度。

根據本發明的又一方面，提供了一種半導體器件，包括：襯底，包括單元區域、在單元區域周圍的外圍區域、以及在單元區域與外圍區域之間的邊界區域；多個有源圖案，在單元區域中；第一邊界圖案，形成在單元區域中并與邊界區域直接相鄰；柵電極，沿第一方向延伸并跨越多個有源圖案和第一邊界圖案；位線，沿與第一方向相交的第二方向延伸，并連接到多個有源圖案中的每一個的第一源/漏區；以及電容器結構，形成在單元區域上并連接到多個有源圖案中的每一個的第二源/漏區，其中，所述第一邊界圖案包括第一側表面和第一邊界表面，第一側表面沿與第一方向形成銳角的第三方向延伸，第一邊界表面限定單元區域和邊界區域之間的邊界的第一部分。

根據本公開的又一方面，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底包括沿第一方向順序布置的單元區域、邊界區域和外圍區域；在單元區域的襯底上形成第一掩模圖案，第一掩模圖案沿與第一方向形成第一銳角的第二方向延伸，第一掩模圖案的至少一部分延伸到邊界區域；通過使用第一掩模圖案作為蝕刻掩模對襯底進行圖案化來在襯底中形成第一溝槽，并在襯底中形成第二溝槽以限定邊界區域。

附圖說明