[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011005023.3
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112768451A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 崔宰福;安秀智;安容奭;李承炯
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種半導體器件，包括：

襯底，包括沿第一方向順序布置的單元區域、邊界區域和外圍區域；

有源圖案，在所述單元區域中沿第二方向延伸，所述第二方向相對于所述第一方向形成第一銳角；以及

邊界圖案，形成在所述單元區域中并與所述邊界區域直接相鄰，

其中，所述邊界圖案包括沿所述第二方向延伸的第一側表面和從所述第一側表面沿第三方向延伸的第一邊界表面，所述第三方向與所述第一方向垂直，以及

其中，所述第一邊界表面限定所述單元區域和所述邊界區域之間的邊界。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一元件隔離層，形成在所述單元區域中，以限定所述邊界圖案的所述第一側表面和所述有源圖案的側表面。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：

第二元件隔離層，形成在所述邊界區域中，以限定所述邊界圖案的所述第一邊界表面。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括：

第三元件隔離層，在所述外圍區域中，

其中，所述第二元件隔離層和所述第三元件隔離層形成在相同的豎直高度處。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一側表面和所述第一邊界表面相交以形成第一內角，以及

其中，所述第一銳角與所述第一內角之和為90度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述邊界圖案還包括與所述第一側表面相對并沿所述第二方向延伸的第二側表面。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述第一側表面和所述第一邊界表面相交以形成第一內角，

其中，所述第二側表面和所述第一邊界表面相交以形成第二內角，以及

其中，所述第一內角和所述第二內角之和為180度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，在與所述第一邊界表面相交并沿所述第一方向延伸的切割平面中，所述有源圖案的第一寬度大于所述邊界圖案的第二寬度。

9.一種半導體器件，包括：

襯底，包括單元區域、在所述單元區域周圍的外圍區域、以及在所述單元區域與所述外圍區域之間的邊界區域；

多個有源圖案，在所述單元區域中；

第一邊界圖案，形成在所述單元區域中并包括第一邊界表面，所述第一邊界表面限定所述單元區域和所述邊界區域之間的邊界的第一部分；以及

柵電極，沿第一方向延伸并跨越所述多個有源圖案和所述第一邊界圖案，

其中，在與所述第一邊界表面相交并沿所述第一方向延伸的切割平面中，所述有源圖案中的每一個的第一寬度大于所述第一邊界圖案的第二寬度。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中，與所述多個有源圖案中的每一個重疊的所述柵電極的第一深度小于與所述第一邊界圖案重疊的所述柵電極的第二深度。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中，所述多個有源圖案中的每一個包括沿第二方向延伸的第一側表面和與所述第一側表面相對且沿所述第二方向延伸的第二側表面，所述第二方向相對于所述第一方向形成銳角，以及

所述第一邊界圖案包括從所述第一邊界表面沿所述第二方向延伸的第三側表面。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述第一寬度是在所述第一方向上所述第一側表面和所述第二側表面之間的距離，以及

所述第二寬度是在所述第一方向上所述第三側表面和所述第一邊界表面之間的距離。