[發(fā)明專利]一種溫場裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011004888.8
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112111782A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設計）人: 王宇;官偉明;梁振興
• 申請（專利權）人: 眉山博雅新材料有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/28
• 代理公司: 成都七星天知識產(chǎn)權代理有限公司 51253
• 代理人: 袁春曉

本申請實施例公開了一種溫場裝置，包括第一筒、第二筒、保溫層以及填充體，其中，所述第一筒底部與爐膛底部密封連接；所述第二筒設置于所述第一筒內(nèi)部；所述保溫層設置于所述第二筒內(nèi)部；所述填充體填充于所述第一筒和所述第二筒之間的空隙中。本申請通過調(diào)整第一筒、第二筒、填充體和/或保溫層的高度和/或厚度，可以實現(xiàn)對溫場裝置內(nèi)部溫度梯度的調(diào)節(jié)，減小了溫場裝置內(nèi)部與外部的熱交換，便于制備可重復性高、一致性好、無宏觀缺陷的大尺寸晶體。

技術領域

本申請涉及晶體生長技術領域，特別涉及一種用于晶體生長的溫場裝置。

背景技術

閃爍晶體(例如，BGO、BSO、GSO、LSO、LYSO)在核醫(yī)學、核物理、環(huán)境檢測、安全檢測等領域有著廣泛的應用。在晶體制備過程中，隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇加大。如果生長過程中生長溫度不穩(wěn)定或溫度發(fā)生突變，會導致晶體開裂，從而導致晶體性能較差。因此，有必要提供一種用于晶體生長的溫場裝置，以保持晶體生長過程中的溫場相對穩(wěn)定，從而提高晶體質量。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例之一提供一種溫場裝置。該溫場裝置包括第一筒、第二筒、保溫層以及填充體，其中，所述第一筒底部與爐膛底部密封連接；所述第二筒設置于所述第一筒內(nèi)部；所述保溫層設置于所述第二筒內(nèi)部；所述填充體填充于所述第一筒和所述第二筒之間的空隙中。

在一些實施例中，所述第二筒包括上筒和下筒，所述上筒和所述下筒上下堆疊放置。

在一些實施例中，所述第二筒的高度小于或等于所述第一筒的高度。

在一些實施例中，所述保溫層為中空保溫筒。

在一些實施例中，所述保溫層包括至少兩個保溫段，所述至少兩個保溫段沿所述第二筒內(nèi)側面上下堆疊放置。

在一些實施例中，所述至少兩個保溫段中每一個的上下兩個面上分別設置至少一個第一凹槽和至少一個第一凸起，所述至少一個第一凹槽和所述至少一個第一凸起的尺寸相適配，以使得所述至少兩個保溫段能夠上下緊密堆疊。

在一些實施例中，所述保溫層包括至少兩塊保溫磚，所述至少兩塊保溫磚沿所述第二筒內(nèi)側面周向放置。

在一些實施例中，所述至少兩塊保溫磚中每一塊沿所述第二筒內(nèi)側面周向的兩個面上分別設置至少一個第二凹槽和至少一個第二凸起，所述至少一個第二凹槽和所述至少一個第二凸起的尺寸相適配，以使得所述至少兩塊保溫磚能夠沿所述第二筒內(nèi)側面周向緊密堆疊。

在一些實施例中，所述保溫層包括至少兩層保溫塊，所述至少兩層保溫塊沿所述第二筒徑向由外向內(nèi)放置。

在一些實施例中，所述至少兩層保溫塊中每一層的內(nèi)外兩個面上分別設置至少一個第三凹槽和至少一個第三凸起，所述至少一個第三凹槽和所述至少一個第三凸起的尺寸相適配，以使得所述至少兩層保溫塊能夠沿所述第二筒徑向緊密堆疊。

在一些實施例中，所述保溫層的高度小于或等于第一筒的高度。

在一些實施例中，所述保溫層的高度和/或厚度根據(jù)放入其中的晶體生長腔體的尺寸調(diào)整。

在一些實施例中，所述溫場裝置還包括第一蓋板，所述第一蓋板設置于所述溫場裝置頂部且覆蓋于所述第一筒頂部。

在一些實施例中，所述溫場裝置還包括至少一個墊塊，所述至少一個墊塊用于支撐放入其中的晶體生長腔體。

附圖說明

本申請將以示例性實施例的方式進一步說明，這些示例性實施例將通過附圖進行詳細描述。這些實施例并非限制性的，在這些實施例中，相同的編號表示相同的結構，其中：

圖1是根據(jù)本申請一些實施例所示的溫場裝置的示意圖；

圖2是根據(jù)本申請又一些實施例所示的溫場裝置的示意圖；