[發明專利]一種溫場裝置在審
| 申請號: | 202011004888.8 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN112111782A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 王宇;官偉明;梁振興 | 申請(專利權)人: | 眉山博雅新材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B29/28 |
| 代理公司: | 成都七星天知識產權代理有限公司 51253 | 代理人: | 袁春曉 |
| 地址: | 620010 四川省眉*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 裝置 | ||
1.一種溫場裝置,其特征在于,所述溫場裝置包括第一筒、第二筒、保溫層以及填充體,其中,
所述第一筒底部與爐膛底部密封連接;
所述第二筒設置于所述第一筒內部;
所述保溫層設置于所述第二筒內部;
所述填充體填充于所述第一筒和所述第二筒之間的空隙中。
2.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述第二筒包括上筒和下筒,所述上筒和所述下筒上下堆疊或鑲嵌放置。
3.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述第二筒的高度小于或等于所述第一筒的高度。
4.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述保溫層為中空保溫筒。
5.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述保溫層包括至少兩個保溫段,所述至少兩個保溫段沿所述第二筒內側面上下堆疊放置。
6.根據權利要求5所述的溫場裝置,其特征在于,所述至少兩個保溫段中每一個的上下兩個面上分別設置至少一個第一凹槽和至少一個第一凸起,所述至少一個第一凹槽和所述至少一個第一凸起的尺寸相適配,以使得所述至少兩個保溫段能夠上下緊密堆疊。
7.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述保溫層包括至少兩塊保溫磚,所述至少兩塊保溫磚沿所述第二筒內側面周向放置。
8.根據權利要求7所述的溫場裝置,其特征在于,所述至少兩塊保溫磚中每一塊沿所述第二筒內側面周向的兩個面上分別設置至少一個第二凹槽和至少一個第二凸起,所述至少一個第二凹槽和所述至少一個第二凸起的尺寸相適配,以使得所述至少兩塊保溫磚能夠沿所述第二筒內側面周向緊密堆疊。
9.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述保溫層包括至少兩層保溫塊,所述至少兩層保溫塊沿所述第二筒徑向由外向內放置。
10.根據權利要求9所述的溫場裝置,其特征在于,所述至少兩層保溫塊中每一層的內外兩個面上分別設置至少一個第三凹槽和至少一個第三凸起,所述至少一個第三凹槽和所述至少一個第三凸起的尺寸相適配,以使得所述至少兩層保溫塊能夠沿所述第二筒徑向緊密堆疊。
11.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述保溫層的高度小于或等于第一筒的高度。
12.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述保溫層的高度和/或厚度根據放入其中的晶體生長腔體的尺寸調整。
13.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述溫場裝置還包括第一蓋板,所述第一蓋板設置于所述溫場裝置頂部且覆蓋于所述第一筒頂部。
14.根據權利要求1所述的溫場裝置,其特征在于,所述溫場裝置還包括至少一個墊塊,所述至少一個墊塊用于支撐放入其中的晶體生長腔體。
15.一種晶體生長方法,其特征在于,利用權利要求1-14中任一項所述的溫場裝置生長晶體。
16.根據權利要求15所述的晶體生長方法,其特征在于,所述晶體包括摻鈰石榴石;所述方法還包括:
按反應方程式(1)的摩爾比對應的理論重量確定原料的重量:
3yCeO2+3(1-y)Y2O3+5Al2O3→2Y3(1-y)Ce3yAl5O12 (1);
將原料Y2O3的重量比理論重量過量0.001-10%進行稱取原料,y=0.00001-0.06。
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