[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202011003320.4
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112103245B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 向舟翊;朱成順;蔣雷
• 申請（專利權）人: 成都京東方顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/45
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 黃溪;劉芳

本發明提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。本發明提供的陣列基板的制造方法包括在襯底基板上沉積柵金屬層，并通過光刻工藝形成柵極，在柵極上方沉積緩沖層，在緩沖層上形成半導體層，在半導體層上沉積并通過光刻工藝形成蝕刻阻擋層，通過離子注入方式將半導體層的部分區域導體化，以形成導體化區域，在半導體層的上方沉積源漏極金屬層，并通過光刻工藝對源漏極金屬層和半導體層進行蝕刻，形成源極和漏極，源極和漏極均與導體化區域相連，縮短了生產周期，降低了生產成本。

技術領域

本發明涉及顯示設備技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術

平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。現有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid?Crystal?Display，LCD)及有機發光二極管顯示器件(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)，而平面顯示器通常由上層基板和下層基板對合并形成，下層基板為薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)陣列基板，TFT包括柵極、源極、漏極與半導體有源層，其中背溝道刻蝕型(BCE)的TFT，在刻蝕源極、漏極時，蝕刻藥液中的氟離子及銅離子會滲透到半導體有源層，從而對產品的電特性和可靠性造成不良影響。

現有技術中，為了解決這一問題，采用在半導體有源層上增加一層蝕刻阻擋層的方式來進行阻隔，具體的，在通過光刻工藝形成半導體有源層后，在半導體有源層上形成蝕刻阻擋層，并再次通過光刻工藝使得蝕刻阻擋層僅覆蓋半導體有源層的區域，在形成源極、漏極的金屬層并進行蝕刻時，蝕刻阻擋層可以阻隔蝕刻藥液中的氟離子及銅離子，避免其滲透進入半導體有源層中。

然而，上述方法需要額外的成膜、曝光和蝕刻設備，增加了一道光罩工藝，因此增加產品的制造周期以及生產成本。

發明內容

本發明提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板，可以減少光罩工藝次數，縮短生產周期，降低生產成本。

第一方面，本發明提供了一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底基板上沉積柵金屬層，并通過光刻工藝形成柵極；在柵極上方沉積緩沖層；在緩沖層上形成半導體層，在半導體層上沉積并通過光刻工藝形成蝕刻阻擋層；通過離子注入方式將半導體層的部分區域導體化，以形成導體化區域；在半導體層的上方沉積源漏極金屬層，并通過光刻工藝對源漏極金屬層和半導體層進行蝕刻，形成源極和漏極，源極和漏極均與導體化區域相連。

第二方面，本發明提供了一種陣列基板，包括襯底基板和設置在襯底基板上的薄膜晶體管，薄膜晶體管包括依次層疊設置的柵極、緩沖層、半導體層、蝕刻阻擋層和源漏極金屬層，源漏極金屬層包括源極和漏極；

其中，半導體層包括半導體圖形區域和導體化區域，蝕刻阻擋層覆蓋半導體圖形區域和部分導體化區域，源極和漏極位于半導體圖形區域的兩側，并與導體化區域連接。

作為一種可選的方式，本發明提供的陣列基板，導體化區域為半導體層的部分區域經過離子注入方式導體化而形成。

作為一種可選的方式，本發明提供的陣列基板，導體化區域包括第一導體化區域和第二導體化區域，源漏極金屬層覆蓋第一導體化區域，第二導體化區域位于第一導體化區域和半導體圖形區域之間，且第二導體化區域被蝕刻阻擋層覆蓋。

作為一種可選的方式，本發明提供的陣列基板，蝕刻阻擋層的覆蓋在第二導體化區域的部分的厚度小于覆蓋在半導體圖形區域上的部分的厚度，且從半導體圖形區域至第一導體化區域的方向上，蝕刻阻擋層的厚度逐漸減小。

作為一種可選的方式，本發明提供的陣列基板，第一導體化區域的阻抗小于第二導體化區域的阻抗。

第三方面，本發明提供了一種顯示面板，包括上述的陣列基板。