[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202011003320.4
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112103245B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 向舟翊;朱成順;蔣雷
• 申請（專利權）人: 成都京東方顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/45
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 黃溪;劉芳

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上沉積柵金屬層，并通過光刻工藝形成柵極；

在所述柵極上方沉積緩沖層；

在所述緩沖層上形成半導體層，在所述半導體層上沉積并通過光刻工藝形成蝕刻阻擋層；

通過離子注入方式將所述半導體層的部分區域導體化，以形成導體化區域，具體包括：用保護膜覆蓋所述蝕刻阻擋層的與半導體圖形區域對應的部分，并將所述半導體層的未被所述保護膜覆蓋的部分導體化，以形成所述導體化區域，其中，所述導體化區域包括第一導體化區域和第二導體化區域，所述第二導體化區域位于所述半導體圖形和所述第一導體化區域之間，且所述第二導體化區域被所述蝕刻阻擋層的邊角結構所覆蓋；位于所述蝕刻阻擋層邊緣的邊角結構未被所述保護膜覆蓋；所述邊角結構的相對于所述半導體層的傾斜角為30°-60°；所述邊角結構的厚度小于所述蝕刻阻擋層覆蓋在所述半導體圖形上的部分的厚度，且從所述半導體圖形至所述第一導體化區域的方向上，所述邊角結構的厚度逐漸減小；

在所述半導體層的上方沉積源漏極金屬層，并通過光刻工藝對所述源漏極金屬層和所述半導體層進行蝕刻，形成源極和漏極，所述源極和所述漏極均與所述導體化區域相連。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成源極和漏極后，還包括：在所述源漏極金屬層的上方形成保護層，并在所述保護層的上方形成透明導電層，所述透明導電層通過接觸過孔與所述漏極電連接。

3.一種陣列基板，通過權利要求1-2任一項所述的制造方法制造而成，其特征在于，包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括依次層疊設置的柵極、緩沖層、半導體層、蝕刻阻擋層和源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括源極和漏極；

所述半導體層包括半導體圖形區域和導體化區域，所述蝕刻阻擋層覆蓋所述半導體圖形區域和部分所述導體化區域，所述源極和所述漏極位于所述半導體圖形區域的兩側，并與所述導體化區域連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導體化區域的阻抗小于所述第二導體化區域的阻抗。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求3-4任一項所述的陣列基板。