[發(fā)明專利]一種用于磁體加工的電鍍工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011002587.1
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112011811A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐睿;尤晨晨;韓幸奇
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽萬磁電子有限公司
• 主分類號: C25D3/12
• 分類號: C25D3/12;C25D7/00
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34160
• 代理人: 楊潤;周衛(wèi)

1.一種用于磁體加工的電鍍工藝，其特征在于：由如下步驟制成：

步驟S1：將硫酸鎳、氯化鎳、硼酸分別溶于去離子水中，制得硫酸鎳溶液、氯化鎳溶液、硼酸溶液，將硫酸鎳溶液、氯化鎳溶液、硼酸溶液進行混合至均勻后，調(diào)節(jié)混合液pH值為2-3，制得電鍍液；

步驟S2：將磁體浸入步驟S1制得的電鍍液中，加入光亮劑，鎳板為陽極，在溫度為40-50℃，電流密度為15-25A/dm²的條件下，進行電鍍，制得電鍍磁體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于磁體加工的電鍍工藝，其特征在于：步驟S1所述的電鍍液中硫酸鎳的含量為200-300g/L，氯化鎳的含量為40-60g/L，硼酸的含量為30-50g/L，光亮劑的用量為電鍍液質(zhì)量的5-10％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于磁體加工的電鍍工藝，其特征在于：所述的光亮劑由如下步驟制成：

步驟A1：將3,4-二氨基甲苯和鹽酸溶液加入反應(yīng)釜中，在轉(zhuǎn)速為120-150r/min，溫度為40-50℃的條件下，進行攪拌并加入氨基氰溶液，進行攪拌3-5h后，加入氫氧化鈉溶液，在溫度為70-80℃的條件下，繼續(xù)攪拌3-5h后，在溫度為110-120℃的條件下，進行蒸餾去除蒸餾物，將底物溶于去離子水中，加入氯甲酸芐酯和碳酸鉀溶液，在溫度為25-30℃的條件下，進行反應(yīng)2-3h，制得中間體1；

步驟A2：將步驟A1制得的中間體1和去離子水加入反應(yīng)釜中，通入氯氣，在溫度為80-90℃的光照條件下，進行反應(yīng)2-3h后，加入碳酸鉀，在溫度為110-120℃的條件下，進行回流反應(yīng)1-2h后，加入重鉻酸鉀溶液，在轉(zhuǎn)速為150-200r/min，溫度為35-40℃的條件下，進行攪拌并加入硫酸溶液，攪拌1-2h后，加入丙酮和氫氧化鈉溶液，在溫度為25-30℃的條件下，繼續(xù)攪拌30-40min，調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值為7，靜置20-30min至分層，去除水層，制得中間體2；

步驟A3：向步驟A2制得的中間體2中加入鈀粉并通入氫氣，在溫度為50-60℃的條件下，進行反應(yīng)1-1.5h，制得中間體3，將三聚氯氰溶于甲苯中，在轉(zhuǎn)速為200-300r/min，溫度為3-5℃的條件下，進行攪拌10-15min后，加入中間體3和碳酸鈉溶液，進行反應(yīng)5-8h后，靜置至分層，去除水層，將有機層調(diào)節(jié)pH值為7，在溫度為115-120℃的條件下，進行蒸餾去除甲苯，制得中間體4；

步驟A4：將苯甲醛溶于乙醇溶液中，制得苯甲醛溶液，將一半量的苯甲醛溶液、氫氧化鈉溶液、丙酮加入反應(yīng)釜中，在轉(zhuǎn)速為150-200r/min，溫度為25-30℃的條件下，進行反應(yīng)1-1.5h后，加入剩余苯甲醛溶液，繼續(xù)反應(yīng)10-15h后，過濾去除濾液，將濾餅、多聚磷酸、甲醇、氨基硫脲加入反應(yīng)釜中，在轉(zhuǎn)速為200-300r/min，溫度為65-70℃的條件下，進行回流2-4h后，調(diào)節(jié)反應(yīng)液pH值為7，靜置20-30min后，過濾去除濾液，將濾餅用丙酮進行重結(jié)晶，制得中間體5；

步驟A5：將油酸和二甲苯加入反應(yīng)釜中，通氮氣進行保護，在轉(zhuǎn)速為120-150r/min的條件下，進行攪拌并加入二乙烯三胺，在溫度為150-170℃的條件下，進行回流反應(yīng)3-5h后，升溫至溫度為210-230℃，進行保溫3-4h，制得中間體6；

步驟A6：將步驟A3制得的中間體4溶于甲苯中，在轉(zhuǎn)速為200-300r/min，溫度為40-50℃的條件下，加入步驟A4中的中間體5，進行反應(yīng)3-5h后，加入步驟A5制得的中間體6，在溫度為80-90℃的條件下，進行反應(yīng)3-5h后，在溫度為115-120℃的條件下，進行蒸餾去除甲苯，制得光亮劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于磁體加工的電鍍工藝，其特征在于：步驟A1所述的3,4-二氨基甲苯、鹽酸溶液、氨基氰溶液、氫氧化鈉溶液的用量比為25-30g:20mL:20mL:21mL，鹽酸溶液的濃度為12mol/L，氨基氰溶液的質(zhì)量分數(shù)為45-50％，氫氧化鈉溶液的質(zhì)量分數(shù)為45-50％，氯甲酸芐酯和3,4-二氨基甲苯的用量摩爾比為2:1，碳酸鉀溶液的用量為反應(yīng)液用量的30-40％，碳酸鉀溶液的質(zhì)量分數(shù)為30-40％。