[發明專利]一種半導體芯片制造基板處理設備有效
| 申請號: | 202011002338.2 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN111933556B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 崔恒亮 | 申請(專利權)人: | 深圳思睿辰新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標事務所 52100 | 代理人: | 李亮;李余江 |
| 地址: | 518122 廣東省深圳市坪山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 芯片 制造 處理 設備 | ||
本發明公布了一種半導體芯片制造基板處理設備,其包括,反應腔室、進料導槽、排料導槽,所述的反應腔室為長方體殼體,進料導槽連接于反應腔室長度方向的一側,排料導槽連接于反應腔室長度方向的另一側,所述的反應腔室內設置有用于對基板進行放置的放置組件,所述的放置組件包括放置板、底座、電機一、絲桿一、導桿一、電機二,所述的反應腔室內豎直設置有支撐板一、支撐板二,支撐板一、支撐板二相對布置,所述的電機一安裝于支撐板一上,當風扇上粘附較多的薄膜時,抓料刷能夠對薄膜進行抓取并置于清理室內,當推送電機能夠驅動推板沿著排放殼體的壁部下移時,推板推動分隔板開啟,薄膜能夠掉落至收集室內。
技術領域
本發明涉及芯片制造技術領域,具體涉及一種半導體芯片制造基板處理設備。
背景技術
化學氣相沉積工藝在半導體芯片制造和液晶面板制造中被廣泛應用,其基本原理是將一種或幾種含有構成薄膜元素的化合物、單質氣體通入放置有基板的反應腔室,借助空間氣相化學反應或使原料氣體發生熱分解而在基板表面上沉積形成薄膜。通過沉積雖然能得到生產者希望的薄膜,生產過程中排放到干泵的尾氣在排氣管路和干泵中發生化學反應沉積在排氣管路和干泵上,導致排氣管路排氣功能下降和干泵停機現象高發,造成嚴重的生產事故。
發明內容
為解決現有技術的不足,本發明的目的提供一種半導體芯片制造基板處理設備。
為實現上述技術目的,本發明所采用的技術方案如下。
一種半導體芯片制造基板處理設備,其包括:
反應腔室、進料導槽、排料導槽,所述的反應腔室為長方體殼體,進料導槽連接于反應腔室長度方向的一側,排料導槽連接于反應腔室長度方向的另一側,所述的反應腔室內設置有用于對基板進行放置的放置組件,所述的放置組件包括放置板、底座、電機一、絲桿一、導桿一、電機二,所述的反應腔室內豎直設置有支撐板一、支撐板二,支撐板一、支撐板二相對布置,所述的電機一安裝于支撐板一上,電機一的輸出軸呈水平布置并且平行于反應腔室的長度方向,所述的絲桿一的一端與電機一的輸出軸端同軸固定連接、另一端與支撐板二活動連接,所述的導桿一平行設置于絲桿一的一側,所述的底座套設于絲桿一、導桿一上,放置板設置于底座上方,所述的電機二安裝于底座底部,電機二的輸出軸豎直向上,電機二的輸出軸端穿過底座與放置板相連,所述的反應腔室內設置有用于對基板進行抓取的吸取機械手,吸取機械手靠近放置組件;
所述的反應腔室內設置有進氣機械手一、進氣機械手二,進氣機械手一、進氣機械手二靠近放置組件,進氣機械手一、進氣機械手二能夠對放置組件上的基板進行排氣;
所述的進氣機械手一、進氣機械手二上連接有用于對尾氣進行處理的尾氣排放機構,反應腔室的尾氣經尾氣排放機構排出。
作為本技術方案的進一步改進,所述的進氣機械手一的端部設置有排氣風槍一,進氣機械手二的端部設置有排氣風槍二,排氣風槍一、排氣風槍二處于放置板上方,氣體經排氣風槍一、排氣風槍二排至放置板的基板上,所述的進氣機械手一的端部設置有連通管一,連通管一的進氣端靠近排氣風槍一,進氣機械手二端部設置有連通管二,連通管二的進氣端靠近排氣風槍二,連通管一、連通管二交匯連通,連通管一、連通管二交匯端連通有連通管三,連通管三的排氣端與尾氣排放機構連通。
作為本技術方案的進一步改進,所述的尾氣排放機構包括排放殼體、進氣殼體,進氣殼體與連通管三的排氣端接通,排放殼體與進氣殼體連通,所述的進氣殼體內安裝有風扇,排放殼體的壁部開設有排氣孔,所述的進氣殼體的底部設置有清理室,清理室內安裝有滾筒刷,滾筒刷通過外置電機驅動,滾筒刷上設置有抓料刷,進氣殼體的底部開設有用于抓料刷穿過的避讓槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





