[發明專利]一種倏逝波耦合的波導型探測器

在審

• 申請號: 202011002337.8
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112103351A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 王方莉;張博健;王亮;郭松坡
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/101
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉

1.一種倏逝波耦合的波導型探測器，包括依次疊加設置的襯底、過渡層、吸收層、包層和P型層，所述襯底的材料為GaAs材料或InP材料；其特征在于，所述吸收層的材料選自InAs材料、GaSb材料、In_0.53Ga_0.47As材料、In_1-x-yGa_yAl_xAs,材料、Al_aGa_1-aAs_bSb_1-b材料或Al_cIn_1-cAs_dSb_1-d材料，所述過渡層的材料選自與所述吸收層的材料晶格相匹配的多種三元材料和/或四元材料；

其中，0x1，0y1且0x+y1；

0a1，0b1；

0c1，0d1。

2.根據權利要求1所述的波導型探測器，其特征在于，所述吸收層的材料選自InAs材料，所述過渡層選自Al_eGa_1-eAs_fSb_1-f非組分漸變材料、In_1-gAl_gAs_hSb_1-h非組分漸變材料、Al_iGa_1-iP_jSb_1-j非組分漸變材料、Al_kIn_1-kP_lSb_1-l非組分漸變材料、Al_eGa_1-eAs_fSb_1-f組分漸變材料、In_1-gAl_gAs_hSb_1-h組分漸變材料、Al_iGa_1-iP_jSb_1-j組分漸變材料和Al_eGa_1-eAs_fSb_1-f組分漸變材料中的一種或多種；在所述非組分漸變材料和組分漸變材料同時選擇時，所述非組分漸變材料的元素組成與組分漸變材料的元素組成不同；

其中0＜e＜1，0＜f＜1；0＜g＜1，0＜h＜1；0＜i＜1，0＜j＜1；0＜k＜1，0＜l＜1。

3.根據權利要求1所述的波導型探測器，其特征在于，所述吸收層為GaSb材料，所述過渡層選自Al_eGa_1-eAs_fSb_1-f非組分漸變材料、Al_iGa_1-iP_jSb_1-j非組分漸變材料、In_1-gAl_gAs_hSb_1-h非組分漸變材料、Al_kIn_1-kP_lSb_1-l非組分漸變材料、Al_eGa_1-eAs_fSb_1-f組分漸變材料、Al_iGa_1-iP_jSb_1-j組分漸變材料、In_1-gAl_gAs_hSb_1-h組分漸變材料或Al_kIn_1-kP_lSb_1-l組分漸變材料；在所述非組分漸變材料和組分漸變材料同時選擇時，所述非組分漸變材料的元素組成與組分漸變材料的元素組成不同；

其中0＜e＜1，0＜f＜1；0＜g＜1，0＜h＜1；0＜i＜1，0＜j＜1；0＜k＜1，0＜l＜1。