[發明專利]壓力式半導體封裝及其制造方法在審
| 申請號: | 202011002176.2 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN113345853A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 崔倫華;趙廷焄 | 申請(專利權)人: | JMJ韓國株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/32 | 分類號: | H01L23/32;H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京天盾知識產權代理有限公司 11421 | 代理人: | 劉云飛 |
| 地址: | 韓國京畿道富*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓力 半導體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種壓力式半導體封裝,其特征在于,
包括:
引線框架,具有一個以上墊板和形成于所述墊板上的一個以上第一終端端子;
至少一個半導體芯片,放置在所述引線框架上;
至少一個加壓部件,層疊形成在所述半導體芯片上,以對所述半導體芯片進行加壓,以用于電連接所述第一終端端子和所述半導體芯片;及
封裝外殼,形成于所述墊板上,保護所述半導體芯片。
2.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述引線框架為介有導電膠或非導電膠而附著所述墊板和所述第一終端端子的結構。
3.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述第一終端端子通過結合部件而附著在所述墊板。
4.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述引線框架為通過超聲波焊接或激光焊接而附著所述墊板和所述第一終端端子的結構。
5.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
向所述半導體芯片施加所述加壓部件的阻焊加壓而在不存在另外的粘合劑的情況下,能夠電連接所述第一終端端子和所述半導體芯片而正常運行,
向所述半導體芯片去除所述加壓部件的阻焊加壓而解除所述第一終端端子和所述半導體芯片電連接而不能正常運行。
6.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述加壓部件包括:
第一加壓部件,處于所述半導體芯片上,以對所述半導體芯片加壓;
一個以上另外加壓部件,向所述第一加壓部件另外施加阻焊加壓而完善與所述半導體芯片的電連接。
7.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述半導體芯片被放置在所述第一終端端子的一端側,或被放置在所述引線框架的墊板上。
8.根據權利要求7所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述半導體芯片在所述引線框架介有導電膠或非導電膠而附著,或未在所述引線框架使用另外的粘合劑,并通過所述加壓部件的阻焊加壓而附著。
9.根據權利要求1所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述第一終端端子由所述墊板而以垂直方向彎曲形成,
所述加壓部件包括:
第一加壓部件,其包含:加壓件,對所述半導體芯片的上端彈性加壓;第二終端端子,與所述加壓件連接而固定在所述墊板上并按垂直方向彎曲形成。
10.根據權利要求9所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
所述加壓部件還包括:
第二加壓部件,層疊形成于所述第一加壓部件的加壓件上端,固定在所述墊板上,而以與所述加壓件交叉的方向另外加壓。
11.根據權利要求10所述的壓力式半導體封裝,其特征在于,
還包括:
第三加壓部件,貫通所述第二加壓部件而按所述半導體芯片方向對所述第一加壓部件的加壓件另外加壓。
12.一種壓力式半導體封裝制造方法,其特征在于,
包括以下步驟:
準備具有一個以上墊板和形成于所述墊板上的一個以上第一終端端子的引線框架;
在所述引線框架上放置至少一個半導體芯片;
在所述半導體芯片上層疊形成至少一個加壓部件以對所述半導體芯片加壓,以用于電連接所述第一終端端子和所述半導體芯片;
形成于所述墊板上而形成保護所述半導體芯片的封裝外殼。
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