[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011002096.7
• 申請(qǐng)日: 2020-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN112103322B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李士佩;徐勝;何偉;趙影;吳慧利;賀芳;顧仁權(quán);張立震;周毅;黎午升;姚琪;岳陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，提出一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。該顯示面板陣列基板、平坦化層組以及多個(gè)子像素；陣列基板包括由多個(gè)開關(guān)單元形成的開關(guān)陣列；平坦化層組設(shè)于陣列基板之上，平坦化層組上設(shè)置有多個(gè)納米級(jí)的凹槽；多個(gè)子像素設(shè)于平坦化層組的遠(yuǎn)離陣列基板的一側(cè)，子像素包括多個(gè)第一電極，第一電極連接至陣列基板的開關(guān)單元，相鄰兩個(gè)第一電極之間設(shè)置有納米級(jí)的第二間隙，第二間隙在陣列基板上的正投影位于凹槽在陣列基板上的正投影內(nèi)。該顯示面板可以避免產(chǎn)生摩爾紋異常，而且第二電極不容易斷裂。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及顯示面板的制備方法、包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示局限在2D(Dimension，維)顯示，隨著半導(dǎo)體技術(shù)及工藝的進(jìn)步，圖像處理技術(shù)突飛猛進(jìn)，目前的圖像處理硬件實(shí)現(xiàn)了微型化、高效化和低發(fā)熱的特性，3D顯示逐步提上日程。另外，各種3D顯示的光學(xué)方案日新月異，為3D顯示技術(shù)的普及奠定了基礎(chǔ)。

目前，3D顯示技術(shù)和產(chǎn)品仍舊集中在LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)中，基于OLED的3D顯示比較罕見。有一些研究實(shí)現(xiàn)了OLED的3D顯示，但是，會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的摩爾紋異常以及陰極短路的問題。

所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的摩爾紋異常以及陰極短路的不足，提供一種不會(huì)產(chǎn)生摩爾紋異常以及陰極短路的顯示面板及顯示面板的制備方法、包括該顯示面板的顯示裝置。

本發(fā)明的額外方面和優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中變得顯然，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種顯示面板，包括：

陣列基板，包括由多個(gè)開關(guān)單元形成的開關(guān)陣列；

平坦化層組，設(shè)于所述陣列基板之上，所述平坦化層組上設(shè)置有多個(gè)納米級(jí)的凹槽；

多個(gè)子像素，設(shè)于所述平坦化層組的遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)，所述子像素包括：

多個(gè)第一電極，所述第一電極連接至所述陣列基板的所述開關(guān)單元，相鄰兩個(gè)所述第一電極之間設(shè)置有納米級(jí)的第二間隙，所述第二間隙在所述陣列基板上的正投影位于所述凹槽在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述凹槽的開口的寬度小于槽底寬度。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述平坦化層組包括：

平坦化層，設(shè)于所述陣列基板之上，在所述平坦化層上設(shè)置有底部凹槽；

第二鈍化層，設(shè)于所述平坦化層的遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)，在所述第二鈍化層上設(shè)置有與所述底部凹槽連通的納米級(jí)的第一間隙，所述第一間隙在所述陣列基板上的正投影位于所述凹槽在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述第一間隙的寬度大于等于10納米且小于等于50納米；所述底部凹槽的寬度大于50納米且小于等于100納米，所述底部凹槽的深度大于等于150納米。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述平坦化層組包括：

平坦化層，其材質(zhì)為負(fù)性光刻膠，所述凹槽設(shè)置在所述平坦化層上，所述凹槽的與所述第二間隙的延伸方向垂直的截面形狀為底部寬度大于開口部寬度的梯形。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述子像素還包括：