[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011002096.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112103322B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李士佩;徐勝;何偉;趙影;吳慧利;賀芳;顧仁權(quán);張立震;周毅;黎午升;姚琪;岳陽(yáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,包括由多個(gè)開(kāi)關(guān)單元形成的開(kāi)關(guān)陣列;
平坦化層組,設(shè)于所述陣列基板之上,所述平坦化層組上設(shè)置有多個(gè)納米級(jí)的凹槽;
多個(gè)子像素,設(shè)于所述平坦化層組的遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè),所述子像素包括:
多個(gè)第一電極,所述第一電極連接至所述陣列基板的所述開(kāi)關(guān)單元,相鄰兩個(gè)所述第一電極之間設(shè)置有納米級(jí)的第二間隙,所述第二間隙在所述陣列基板上的正投影位于所述凹槽在所述陣列基板上的正投影內(nèi);
像素界定層,設(shè)于多個(gè)所述第一電極的遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè),部分所述像素界定層填充至所述第二間隙以及至少部分所述凹槽內(nèi)形成隔離插塞,在所述像素界定層上設(shè)置有第二過(guò)孔以使多個(gè)所述第一電極裸露;
發(fā)光層,設(shè)于所述像素界定層的所述第二過(guò)孔內(nèi),所述發(fā)光層與多個(gè)所述第一電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽的開(kāi)口的寬度小于槽底寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述平坦化層組包括:
平坦化層,設(shè)于所述陣列基板之上,在所述平坦化層上設(shè)置有底部凹槽;
第二鈍化層,設(shè)于所述平坦化層的遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè),在所述第二鈍化層上設(shè)置有與所述底部凹槽連通的納米級(jí)的第一間隙,所述第一間隙在所述陣列基板上的正投影位于所述凹槽在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一間隙的寬度大于等于10納米且小于等于50納米;所述底部凹槽的寬度大于50納米且小于等于100納米,所述底部凹槽的深度大于等于150納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述平坦化層組包括:
平坦化層,其材質(zhì)為負(fù)性光刻膠,所述凹槽設(shè)置在所述平坦化層上,所述凹槽的與所述第二間隙的延伸方向垂直的截面形狀為底部寬度大于開(kāi)口部寬度的梯形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素還包括:
第二電極,設(shè)于所述發(fā)光層的遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板包括:
襯底基板;
緩沖層,設(shè)于所述襯底基板之上;
有源層,設(shè)于所述緩沖層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
柵絕緣層,設(shè)于所述有源層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
柵極,設(shè)于所述柵絕緣層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
層間介電層,設(shè)于所述柵極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),在所述柵絕緣層上設(shè)有第三過(guò)孔,在所述層間介電層上設(shè)有與所述第三過(guò)孔連通的第四過(guò)孔,以使部分所述有源層裸露;
第一源極和第一漏極,設(shè)于所述層間介電層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第一源極和所述第一漏極通過(guò)所述第四過(guò)孔和所述第三過(guò)孔連接至所述有源層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
第一鈍化層,設(shè)于所述第一源極和所述第一漏極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),并在所述第一鈍化層上設(shè)有第五過(guò)孔以使所述第一源極和所述第一漏極裸露;
第二源極和第二漏極,設(shè)于所述第一鈍化層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第二源極和第二漏極通過(guò)所述第五過(guò)孔連接至所述第一源極和所述第一漏極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





