[發明專利]一種高阻膜及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 202011001960.1 | 申請日： | 2020-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN112209626A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發明（設計）人： | 王金科;陳明飛;朱啟煌;劉永成;龍瀧;譚宏 | 申請（專利權）人： | 長沙壹納光電材料有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/245 | 分類號： | C03C17/245;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高阻膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種高阻膜，其特征在于：所述高阻膜的膜層方阻在107Ω/□～1010Ω/□之間且在550nm下透光率不低于97％。
2.根據權利要求1所述的高阻膜，其特征在于：所述高阻膜在550nm下的透光率為99％。
3.根據權利要求1所述的高阻膜，其特征在于：所述高阻膜的厚度為5～30nm。
4.一種如權利要求1至3任一項所述的高阻膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
采用氧化銦摻雜氧化鋯陶瓷靶材，通過真空濺射法濺射得到所述高阻膜；
其中，真空濺射法采用的濺射氣壓為0.05～0.5Pa，采用的氣體組成為：Ar和O2，其中，O2分壓為0.01～0.04Pa。
5.根據權利要求4所述的高阻膜的制備方法，其特征在于：所述氧化銦摻雜氧化鋯陶瓷靶材中銦與鋯的物質的量之比為1:(0.3～0.5)。
6.根據權利要求4所述的高阻膜的制備方法，其特征在于：所述真空濺射法采用的濺射電源為直流電源或直流脈沖電源。
7.根據權利要求4所述的高阻膜的制備方法，其特征在于：所述真空濺射法的濺射功率為0.25～2.5w/cm2。
8.一種內嵌式觸摸顯示屏的制備方法，其特征在于：所述內嵌式觸摸顯示屏包括TFT層和CF層，所述制備方法包括以下步驟：在所述CF層背面沉積形成如權利要求1至3任一項所述的高阻膜，成膜過程中基底溫度不超過150℃。
9.一種內嵌式觸摸顯示屏，其特征在于：包括如權利要求1至3任一項所述的高阻膜。
10.一種顯示裝置，其特征在于：包括如權利要求9所述的內嵌式觸摸顯示屏。
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