[發(fā)明專(zhuān)利]一種毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011001576.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112147204B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金黨琴;龔愛(ài)琴;孫強(qiáng);朱文軍;孫艷艷 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 揚(yáng)州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N27/416 | 分類(lèi)號(hào): | G01N27/416 |
| 代理公司: | 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 225127 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 毒死 分子 印跡 電化學(xué)傳感器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器及其制備方法,該光電化學(xué)傳感器包括參比電極、輔助電極和工作電極,工作電極為分子印跡電極,分子印跡電極包括導(dǎo)電基體及負(fù)載于導(dǎo)電基體上的復(fù)合材料,復(fù)合材料為聚(3?己基噻吩)修飾的碘氧化鉍。制備上述光電化學(xué)傳感器的制備方法,在導(dǎo)電基體表面通過(guò)涂覆和SILAR法制得BiOINFs/P3HT/ITO電極,通過(guò)將交聯(lián)劑、功能單體、引發(fā)劑的混合溶劑滴涂到上述電極表面,經(jīng)過(guò)加熱聚合,去除模板分子毒死蜱,制得洗脫毒死蜱后的MIP/BiOINFs/P3HT/ITO電極。該傳感器應(yīng)用于水樣中毒死蜱檢測(cè),具有較高的選擇性識(shí)別能力、良好的再生性和穩(wěn)定性,制作簡(jiǎn)單、便于攜帶。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光電化學(xué)傳感器及其制備方法,尤其涉及一種毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
毒死蜱又名樂(lè)斯本、氯吡硫磷,是一種高效中毒有機(jī)磷農(nóng)藥,其作用機(jī)理是破壞害蟲(chóng)體內(nèi)乙酰膽堿酯酶并導(dǎo)致膽堿功能障礙甚至死亡,對(duì)植食性害蟲(chóng),如菜青蟲(chóng)、飛虱、稻縱卷葉螟等具有很好的毒殺效果,在蔬菜、水果、糧食作物上應(yīng)用十分廣泛,但因過(guò)量使用,導(dǎo)致的農(nóng)藥殘留嚴(yán)重影響了生態(tài)環(huán)境安全,對(duì)人與動(dòng)物的生命安全構(gòu)成威脅。全世界廣泛呼吁有機(jī)磷農(nóng)藥的限量使用、禁止使用高毒有機(jī)磷農(nóng)藥。
由于有機(jī)磷農(nóng)藥的毒性大,因此,對(duì)環(huán)境樣品和農(nóng)產(chǎn)品中的有機(jī)磷農(nóng)藥的殘留檢測(cè)是非常重要的。目前已有一些儀器檢測(cè)方法,如氣相色譜(GC),氣相色譜/質(zhì)譜(GC/MS),液相色譜(LC)和液相色譜/質(zhì)譜法(LC/MS),表面增強(qiáng)拉曼光譜法等,這些方法可以提供更高的靈敏度和特異性,可同時(shí)確定多種類(lèi)似物,但是,也存在一些缺點(diǎn),如高成本、耗時(shí)、技術(shù)技能要求高等。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:本發(fā)明的目的是提供一種靈敏度高、響應(yīng)速度快、儀器簡(jiǎn)單的毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器;
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法。
技術(shù)方案:本發(fā)明的毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器,包括參比電極、輔助電極、工作電極,所述工作電極為分子印跡電極,所述分子印跡電極包括導(dǎo)電基體及負(fù)載于導(dǎo)電基體上的復(fù)合材料,所述復(fù)合材料為聚(3-己基噻吩)修飾的碘氧化鉍。
優(yōu)選地,所述復(fù)合材料在所述導(dǎo)電基體上為膜層結(jié)構(gòu),所述膜層結(jié)構(gòu)的下層為聚(3-己基噻吩)膜,上層為在聚(3-己基噻吩)膜上原位形成的碘氧化鉍膜。
優(yōu)選地,在聚(3-己基噻吩)膜上原位形成碘氧化鉍膜的方法為:通過(guò)SILAR法將聚(3-己基噻吩)膜交替浸入到Bi(NO3)3溶液和KI溶液中。
優(yōu)選地,所述碘氧化鉍層的厚度為400-700nm。
優(yōu)選地,所述聚(3-己基噻吩)層的厚度為300-500nm。
上述毒死蜱分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法,將參比電極、輔助電極與工作電極構(gòu)建三電極體系;所述工作電極的制備方法包括以下步驟:
(A)將聚(3-己基噻吩)分散后得到懸浮液,涂覆于導(dǎo)電基體上,干燥后得到聚(3-己基噻吩)/導(dǎo)電基體電極;
(B)利用SILAR法將聚(3-己基噻吩)/導(dǎo)電基體電極交替浸入到Bi(NO3)3溶液和KI溶液中,制得碘氧化鉍/聚(3-己基噻吩)/導(dǎo)電基體電極;
(C)將模板分子毒死蜱、交聯(lián)劑、功能單體和引發(fā)劑混合后得混合液,將所述混合液滴涂到碘氧化鉍/聚(3-己基噻吩)/導(dǎo)電基體電極表面,在加熱的條件下進(jìn)行聚合反應(yīng),后去除模板分子毒死蜱,制得洗脫毒死蜱后的碘氧化鉍/聚(3-己基噻吩)/導(dǎo)電基體分子印跡電極。
優(yōu)選地,所述Bi(NO3)3.5H2O和KI溶液的濃度均為4~6mmol/L。
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