[發明專利]多層陶瓷電子組件

有效

• 申請號: 202011001213.8
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112542324B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 韓有妃;樸彩民;申旴澈;文智熙;金志慧;趙志弘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/005
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;劉雪珂

1.一種多層陶瓷電子組件，包括：

陶瓷主體，所述陶瓷主體包括介電層和彼此相對設置的多個內電極，所述介電層介于彼此相對設置的所述多個內電極之間，并且所述陶瓷主體具有在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面；以及

外電極，設置在所述第三表面和所述第四表面中的一個表面上并且連接到所述多個內電極之中的暴露于所述第三表面和所述第四表面中的所述一個表面的內電極，

其中，所述外電極延伸到所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上以具有設置在所述第一表面和所述第二表面上的延伸部，

其中，設置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部滿足關系式0.9≤A/BW1.0和0.68mm≤A≤0.72mm，其中，A表示在所述第二方向上從所述陶瓷主體的所述一個表面到所述延伸部的端部的最短距離，并且BW表示在所述第二方向上從所述陶瓷主體的所述一個表面到所述延伸部的所述端部的最長距離，并且

其中，所述內電極包含銀、鉛、鉑、鎳和銅中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述最短距離A是在所述陶瓷主體的在所述第三方向上的邊緣區域處測量的。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述最長距離BW是在所述陶瓷主體的在所述第三方向上的中央區域處測量的。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的多層陶瓷電子組件，其中，比BW/L滿足0.2≤BW/L≤0.3，其中，L是所述陶瓷主體的長度。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述多個內電極中的每個的厚度te小于1μm。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度td小于2.8μm。

7.根據權利要求1-3、5和6中任一項所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述介電層的厚度td和所述多個內電極中的每個的厚度te滿足td＞2×te。

8.一種多層陶瓷電子組件，包括：

陶瓷主體，所述陶瓷主體包括介電層和彼此相對設置的多個內電極，所述介電層介于彼此相對設置的所述多個內電極之間，所述陶瓷主體具有在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面，并且所述陶瓷主體在所述第二方向上的長度大于所述陶瓷主體在所述第三方向上的長度；以及

外電極，設置在所述第三表面和所述第四表面中的一個表面上并且連接到所述多個內電極之中的暴露于所述第三表面和所述第四表面中的所述一個表面的內電極，

其中，所述外電極延伸到所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上以具有設置在所述第一表面和所述第二表面上的延伸部，

其中，設置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部滿足0.2≤BW/L≤0.3，其中，BW表示在所述第二方向上從所述陶瓷主體的所述一個表面到所述延伸部的端部的最長距離，并且L表示所述陶瓷主體在所述第二方向上的長度，

其中，設置在所述第一表面或所述第二表面上的所述延伸部在所述第三方向上的中央部分在所述第二方向上的長度小于在所述第三方向上的邊緣部分在所述第二方向上的長度，

其中，所述內電極包含銀、鉛、鉑、鎳和銅中的至少一種，并且

其中，所述介電層的厚度td小于2.8μm。

9.根據權利要求8所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述最長距離BW是所述延伸部在所述第三方向上的所述中央部分在所述第二方向上的長度。

10.根據權利要求8所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述多個內電極中的每個的厚度te小于1μm。