[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置的清洗方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 202011000752.X
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112563159A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 江端慎也;栗林幸永;野田孝曉
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;杜嘉璐

本發明提供基板處理裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置的清洗方法以及存儲介質，提高清潔處理的效率?；逄幚硌b置具有：反應容器，其具有可存取基板的開口；加熱器，其在反應容器的外部以不堵塞開口的方式設置，并朝向反應容器輻射熱；蓋，其堵塞開口；氣體供給機構，其向反應容器內供給多個氣體；以及冷卻機構，其冷卻反應容器的開口側，通過氣體供給機構供給不同的兩種清潔氣體、氣體供給機構從不同的兩部位供給清潔氣體、以及加熱器和冷卻機構使反應容器的內表面的溫度在中心側和開口側不同中的至少一個，同時進行反應容器的開口側和中心側的內表面的清潔。

技術領域

本公開涉及基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及基板處理裝置的清洗方法。

背景技術

作為半導體裝置(設備)的制造工序的一工序，有時進行成膜處理，該成膜處理是對處理室內的基板供給原料氣體、反應氣體，在基板上形成膜。當進行成膜處理時，有時在處理室內會附著沉積物。因此，有時在進行成膜處理后進行清潔處理，該清潔處理是向處理室內供給清潔氣體，去除附著于處理室內的沉積物。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-233570號公報

專利文獻2：日本特開2014-209572號公報

專利文獻3：日本特開2018-26460號公報

發明內容

發明所要解決的課題

本公開的課題在于提供一種提高清潔處理的效率的技術。

用于解決課題的技術方案

根據本公開的一方案，提供一種技術，其具有：

反應容器，其具有配置基板的第一區域和不配置基板的第二區域；

加熱器，其加熱上述第一區域；

氣體供給機構，其供給多種氣體，該多種氣體包括對上述反應容器內進行清潔的清潔氣體；歐空

控制部，其控制上述氣體供給機構或上述加熱器和冷卻機構，以便通過上述氣體供給機構供給不同的兩種清潔氣體、上述氣體供給機構從不同的兩部位供給清潔氣體、以及上述加熱器使溫度在上述第一區域和上述第二區域不同中的至少一個，以不同的條件對上述第一區域和上述第二區域進行清潔。

發明效果

根據本公開，能夠提高清潔處理的效率。

附圖說明

圖1是表示基板處理裝置的立式處理爐的概略的縱剖視圖。

圖2是表示入口凸緣周邊的縱剖視圖。

圖3是表示在入口凸緣裝配有加熱器元件的狀態的橫剖視圖。

圖4是表示入口凸緣周邊的縱剖視圖。

圖5是表示向基板處理裝置的爐口部的冷卻水的供給系統的圖。

圖6是表示處理爐的概略的橫剖視圖。

圖7是說明清潔工序的圖。

圖8是表示HF氣體的蝕刻率與溫度的關系的圖。

圖9是表示HF的蒸氣壓與溫度的關系的圖。

圖10是說明比較例中的清潔工序的圖。

圖11的(a)是表示第一變形例及第二變形例的處理爐的概略的橫剖視圖，(b)是第一變形例中的噴嘴的主視圖，(c)是第二變形例中的噴嘴的主視圖。