[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法、基板處理裝置的清洗方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 202011000752.X
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112563159A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 江端慎也;栗林幸永;野田孝曉
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;杜嘉璐

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

反應容器，其具有配置基板的第一區域和不配置基板的第二區域；

加熱器，其對上述第一區域進行加熱；

氣體供給機構，其供給多種氣體，該多種氣體包括對上述反應容器內進行清潔的清潔氣體；以及

控制部，其控制上述氣體供給機構或上述加熱器和冷卻機構，以便通過上述氣體供給機構供給不同的兩種清潔氣體、上述氣體供給機構從不同的兩部位供給清潔氣體、以及上述加熱器使溫度在上述第一區域和上述第二區域不同中的至少一個，以不同的條件對上述第一區域和上述第二區域進行清潔。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述反應容器具備筒狀的反應管，上述反應管具有能夠穿過上述第二區域在上述第一區域存取上述基板的開口，

上述第一區域和上述第二區域進行流體連通，

在上述基板配置于上述第一區域的期間，在上述第二區域配置隔熱結構體。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

還具備冷卻上述反應容器的開口側的冷卻機構。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述氣體供給機構具有：從上述第一區域供給第一清潔氣體的第一噴嘴；以及從上述第二區域供給第二清潔氣體的第二噴嘴。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一噴嘴供給含氟氣體與包含氧及氮的氣體的混合氣體作為上述第一清潔氣體，

上述第二噴嘴供給氟化氫氣體作為上述第二清潔氣體。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一區域的溫度為200℃以上且400℃以下，上述第二區域的溫度為5℃以上且75℃以下。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部控制上述氣體供給機構或上述加熱器和冷卻機構，以便通過上述氣體供給機構供給不同的兩種清潔氣體、上述氣體供給機構從不同的兩部位供給清潔氣體、以及上述加熱器使溫度在上述第一區域和上述第二區域不同中的至少兩個，以不同的條件對上述第一區域和上述第二區域進行清潔。

8.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述氣體供給機構具有：從上述反應容器的中心側且配置基板的區域的附近供給第一清潔氣體的第一噴嘴；以及從上述開口的附近供給第二清潔氣體的第二噴嘴，

在同時進行上述清潔時，上述冷卻機構在上述反應容器的中心側的溫度為200℃以上且400℃以下的狀態下將上述反應容器的上述開口側的整周冷卻至5℃以上且75℃以下。

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部控制上述氣體供給機構或上述加熱器和冷卻機構，以便通過上述氣體供給機構從不同的兩部位供給不同的兩種清潔氣體，且上述加熱器使溫度在上述第一區域和上述第二區域不同，以不同的條件對上述第一區域和上述第二區域進行清潔。

10.根據權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一清潔氣體包括F₂氣體。

11.根據權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一清潔氣體包括一氧化氮。

12.根據權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第二清潔氣體包括氟化氫。

13.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述反應容器具備：耐熱耐腐蝕材料制的反應管；以及入口凸緣，其將上述反應管的開口連接于上述反應容器的開口，并且具有將上述清潔氣體導入上述反應容器內的端口。