[發(fā)明專利]一種長晶爐工藝氣混氣氣道

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010998980.4
• 申請(qǐng)日: 2020-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN112191121B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李輝;葉迎海;毛瑞川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京晶升裝備股份有限公司
• 主分類號(hào): B01F25/30
• 分類號(hào): B01F25/30;B01F25/31
• 代理公司: 北京惠科金知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11981
• 代理人: 任立晨

本發(fā)明公開了一種長晶爐工藝氣混氣氣道，包括座體、位于座體內(nèi)部的氣環(huán)、至少兩個(gè)進(jìn)氣道、覆蓋在氣環(huán)上的封板；所述氣環(huán)包括圓柱形的側(cè)壁，位于側(cè)壁上端的一圈上圓環(huán)、位于側(cè)壁下端的一圈下圓環(huán)；側(cè)壁、上圓環(huán)下表面、下圓環(huán)上表面與內(nèi)壁之間圍成環(huán)向氣道；所述上圓環(huán)設(shè)有與環(huán)向氣道貫通的若干上氣道，下圓環(huán)設(shè)有與環(huán)向氣道貫通的若干下氣道；各個(gè)上氣道及下氣道中噴出的工藝氣多次相互撞擊，實(shí)現(xiàn)較均勻的工藝氣混合。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于碳化硅材料長晶爐技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

長晶爐中長晶時(shí)，常常需要在長晶爐內(nèi)形成一定氣氛，這種氣氛往往由若干種工藝氣以一定比例混合而成，氣氛均勻性直接影響晶體的生成質(zhì)量。

現(xiàn)有技術(shù)中，長晶爐多為將工藝氣分別直接通入爐腔，然后在爐腔內(nèi)混合，工藝氣混合不均導(dǎo)致的晶體不良，往往不會(huì)被注意，不利于長晶工藝的定型及晶體良率的提高。

需要一種新的技術(shù)方案以解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：本發(fā)明提供了一種長晶爐工藝氣混氣氣道，用于解決長晶爐工藝氣混合不均的問題。

技術(shù)方案：為解決上述問題，本發(fā)明可采用以下技術(shù)方案：

一種長晶爐工藝氣混氣氣道，包括座體、位于座體內(nèi)部的氣環(huán)、、至少兩個(gè)進(jìn)氣道、覆蓋在氣環(huán)上的封板；所述氣環(huán)包括圓柱形的側(cè)壁，位于側(cè)壁上端的一圈上圓環(huán)、位于側(cè)壁下端的一圈下圓環(huán)；上圓環(huán)的外徑及下圓環(huán)的外徑均大于側(cè)壁的外徑，所述座體包括收容氣環(huán)的內(nèi)壁，且所述側(cè)壁、上圓環(huán)下表面、下圓環(huán)上表面與內(nèi)壁之間圍成環(huán)向氣道；所述上圓環(huán)設(shè)有與環(huán)向氣道貫通的若干上氣道，下圓環(huán)設(shè)有與環(huán)向氣道貫通的若干下氣道；每個(gè)上氣道的中軸線是不指向上圓環(huán)圓心而傾斜的，且該中軸線到上圓環(huán)圓心的連線與該中軸線之間形成銳角的夾角，且每個(gè)上氣道的傾斜的角度與方向均相同；每個(gè)下氣道的中軸線是不指向下圓環(huán)圓心而傾斜的，且該中軸線到下圓環(huán)圓心的連線與該中軸線之間形成銳角的夾角，且每個(gè)下氣道的傾斜的角度與方向均相同；每個(gè)上氣道與每個(gè)下氣道均與氣環(huán)內(nèi)部連通，氣環(huán)的底部為出口；所述進(jìn)氣道橫向穿過座體并與環(huán)向氣道連通，且進(jìn)氣道自座體的外側(cè)向內(nèi)延伸。

進(jìn)一步的，所述上氣道的出口吹氣方向?yàn)檠刂蠄A環(huán)圓心順時(shí)針方向；下氣道的出口吹氣方向?yàn)檠刂聢A環(huán)圓心逆時(shí)針方向；或者，上氣道的出口吹氣方向?yàn)檠刂蠄A環(huán)圓心逆時(shí)針方向；下氣道的出口吹氣方向?yàn)檠刂聢A環(huán)圓心順時(shí)針方向。

進(jìn)一步的，還包括覆蓋在封板上方的壓蓋，所述封板收容于壓蓋與座體之間。

進(jìn)一步的，所述封板下方與座體之間設(shè)有密封件。

進(jìn)一步的，所述上圓環(huán)的外壁面設(shè)有若干向內(nèi)凹的上過渡通道，該上過渡通道與上氣道一一對(duì)應(yīng)且將上氣道與環(huán)向氣道連通，所述下圓環(huán)的外壁面設(shè)有若干向內(nèi)凹的下過渡通道，該下過渡通道與下氣道一一對(duì)應(yīng)且將下氣道與環(huán)向氣道連通。

有益效果：相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的長晶爐工藝氣混氣氣道中，自至少兩個(gè)進(jìn)氣道吹入的工藝氣在環(huán)形氣道中初次混合，經(jīng)過上氣道分別進(jìn)入氣環(huán)內(nèi)腔，并且一個(gè)上氣道中的氣體以一定角度順時(shí)針(或者逆時(shí)針)噴向另一個(gè)上氣道方向，在氣環(huán)內(nèi)腔中形成旋流，且各個(gè)上氣道中噴出的工藝氣多次相互撞擊，實(shí)現(xiàn)較均勻的工藝氣混合；而同樣的原理，通過若干進(jìn)氣道吹入的工藝氣在環(huán)形氣道中初次混合，經(jīng)過下氣道分別進(jìn)入氣環(huán)內(nèi)腔也進(jìn)行初次混合后相互碰撞形成較均勻的工藝氣混合。而上氣道吹入氣環(huán)內(nèi)腔形成的上部旋流會(huì)自上而下流動(dòng)，當(dāng)碰到下氣道吹入氣環(huán)內(nèi)腔形成的下部旋流時(shí)，形成氣流撞擊，實(shí)現(xiàn)三次混合。三次混合后的工藝氣已經(jīng)均勻性較好，經(jīng)出氣口吹入長晶爐的真空腔室可獲得均勻的長晶氣氛。

附圖說明

圖1是本發(fā)明長晶爐工藝氣混氣氣道的剖視結(jié)構(gòu)圖。

圖2是本發(fā)明中氣環(huán)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是氣環(huán)中上氣道、下氣道的設(shè)置示意圖。

具體實(shí)施方式