[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010989831.1
• 申請(qǐng)日: 2016-08-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112133754A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張哲誠(chéng);林志翰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上方形成絕緣結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底具有與所述絕緣結(jié)構(gòu)分離的半導(dǎo)體鰭；

在所述半導(dǎo)體鰭上方和絕緣結(jié)構(gòu)的面向所述半導(dǎo)體鰭的側(cè)壁上方沉積高k介電層；

蝕刻所述高k介電層的沿所述絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁延伸的第一部分，其中，所述高k介電層的第二部分保留在所述半導(dǎo)體鰭上方；以及

在所述高k介電層的所述第二部分上方沉積柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在沉積所述柵電極之前，在所述高k介電層上方沉積金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在沉積所述金屬層之后，執(zhí)行對(duì)所述高k介電層的所述第一部分的蝕刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括：

蝕刻所述絕緣結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁上方的所述金屬層的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導(dǎo)體鰭上形成偽層；

在所述偽層的側(cè)壁上方形成間隔件；

蝕刻所述偽層以在所述偽層中形成孔，所述孔與所述半導(dǎo)體鰭分離，其中，執(zhí)行形成絕緣結(jié)構(gòu)的步驟，使得在所述孔中形成所述絕緣結(jié)構(gòu)；以及

去除所述偽層以形成開(kāi)口，其中，執(zhí)行沉積所述高k介電層的步驟，使得所述高k介電層沉積在所述開(kāi)口中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，執(zhí)行沉積所述高k介電層的步驟，使得所述高k介電層沉積在所述間隔件的面向所述開(kāi)口的側(cè)壁上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，執(zhí)行對(duì)所述高k介電層的所述第一部分的蝕刻，使得蝕刻所述高k介電層的在所述間隔件的所述側(cè)壁上方的第三部分。

8.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底的半導(dǎo)體鰭上形成偽層；

在所述偽層的側(cè)壁上方形成間隔件；

在形成所述間隔件之后，蝕刻所述偽層以在所述偽層中形成孔；

在所述孔中形成絕緣結(jié)構(gòu)；

去除所述偽層；

在所述半導(dǎo)體鰭上方和所述絕緣結(jié)構(gòu)的面向所述半導(dǎo)體鰭的側(cè)壁上方沉積介電層；

蝕刻所述介電層，使得蝕刻后的所述介電層保留在所述半導(dǎo)體鰭上方并與所述絕緣結(jié)構(gòu)分離；以及

在蝕刻后的所述介電層上方沉積柵電極。

9.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成跨越襯底的半導(dǎo)體鰭的偽層；

在所述偽層的側(cè)壁上方形成間隔件；

在所述偽層中形成絕緣結(jié)構(gòu)；

去除所述偽層；

在所述半導(dǎo)體鰭上方和所述絕緣結(jié)構(gòu)的面向所述半導(dǎo)體鰭的側(cè)壁上方沉積介電層；

在所述介電層上方沉積金屬層；

蝕刻金屬層的位于所述絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上方的第一部分，其中，所述金屬層的第二部分保留在所述半導(dǎo)體鰭上方；以及

在所述金屬層的所述第二部分上方沉積柵電極。

10.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底之上形成絕緣結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底具有與所述絕緣結(jié)構(gòu)分隔開(kāi)的至少一個(gè)半導(dǎo)體鰭以在所述絕緣結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體鰭之間形成間隙；

形成柵極堆疊件的高k介電層以覆蓋部分所述半導(dǎo)體鰭和面向所述半導(dǎo)體鰭的所述絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁；

去除覆蓋所述絕緣結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁的部分所述高k介電層；以及

在所述高k介電層之上形成所述柵極堆疊件的柵電極，從而使得所述柵電極至少設(shè)置在所述絕緣結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體鰭之間的所述間隙中。