[發明專利]一種陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010989556.3
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112151554A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 郭力
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L25/16;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本申請提供一種陣列基板及其制備方法，陣列基板包括基板；感光單元，設置于基板上，所述感光單元包括存儲電容、開關薄膜晶體管以及位于所述存儲電容和所述開關薄膜晶體管之間的感光傳感器；其中，所述感光傳感器為感光二極管結構，所述感光二極管結構中的半導體結構包括層疊設置的N型重摻雜非晶硅層、非晶硅層以及P型重摻雜非晶硅層。本申請通過將陣列基板中的感光傳感器采用感光二極管結構，所述感光二極管結構中的半導體結構包括N型重摻雜非晶硅層、非晶硅層以及P型重摻雜非晶硅層，能夠在大尺寸設備上實現光傳感器集成、提高設備靈敏度以及降低制造成本的效果。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

液晶顯示技術經過數十年的發展，已經十分成熟。在未來的發展中，光傳感器集成是液晶顯示技術發展的重要方向。通過在顯示屏內集成光傳感器，顯示屏的應用場景將得到進一步擴展，例如指紋識別、掌紋識別、體感識別、激光交互等功能均可以通過光傳感器得以實現。

目前，如何提高光傳感器的靈敏度以及提高光傳感器與大尺寸顯示工藝兼容性，成為了液晶顯示技術發展的重要方向。

發明內容

本申請提供了一種陣列基板及其制備方法，用以能夠有效提高光傳感器的靈敏度以及提高光傳感器與大尺寸顯示工藝兼容性。

為了實現上述效果，本申請提供的技術方案如下：

一種陣列基板，包括：

基板；

感光單元，設置于所述基板上，所述感光單元包括存儲電容、開關薄膜晶體管以及位于所述存儲電容和所述開關薄膜晶體管之間的感光傳感器；

其中，所述感光傳感器為感光二極管結構，所述感光二極管結構中的半導體結構包括層疊設置的N型重摻雜非晶硅層、非晶硅層以及P型重摻雜非晶硅層。

本申請的陣列基板中，所述陣列基板還包括：

第一電極層，設置于所述基板上，所述第一電極層包括間隔設置的第一電極、第二電極以及第三電極；

柵極絕緣層，設置于所述第一電極層上方；

半導體層，設置于所述柵極絕緣層上方，所述半導體層包括第一半導體層和第二半導體層；所述第一半導體層設置于所述第一電極和所述第三電極上方；所述第二半導體層設置于所述第二電極上方；

第二電極層，設置于所述第一半導體層上方，所述第二電極層包括第四電極、漏極以及源極；所述第四電極位于所述第一電極上方；所述漏極和所述源極位于所述第三電極兩個相對的邊緣區域上方；

絕緣層，設置于所述半導體層上方；以及

透明電極層，設置于所述絕緣層上方，所述透明電極層包括第一透明電極和第二透明電極；所述第一透明電極與所述第一電極相連接；所述第二透明電極與所述第二電極以及所述漏極相連接。

本申請的陣列基板中，所述感光傳感器包括層疊設置的所述第二電極、所述第二半導體層以及所述第一透明電極；其中，所述第二半導體層為多層結構，包括層疊設置的N型重摻雜非晶硅層、非晶硅層以及P型重摻雜非晶硅層。

本申請的陣列基板中，所述存儲電容包括層疊設置的所述第一電極、所述第一半導體層以及所述第四電極；其中，所述第一半導體層為多層結構，包括層疊設置的非晶硅層和N型重摻雜非晶硅層。

本申請的陣列基板中，所述開關薄膜晶體管包括所述第三電極、所述第一半導體層、所述漏極和所述源極。

本申請的陣列基板中，所述開關薄膜晶體管的第三電極接入掃描信號，源極接入讀出信號，漏極接入所述感光傳感器的第二電極和所述存儲電容的第四電極；