[發明專利]一種陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010989556.3
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112151554A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 郭力
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L25/16;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

感光單元，設置于所述基板上，所述感光單元包括存儲電容、開關薄膜晶體管以及位于所述存儲電容和所述開關薄膜晶體管之間的感光傳感器；

其中，所述感光傳感器為感光二極管結構，所述感光二極管結構中的半導體結構包括層疊設置的N型重摻雜非晶硅層、非晶硅層以及P型重摻雜非晶硅層。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

第一電極層，設置于所述基板上，所述第一電極層包括間隔設置的第一電極、第二電極以及第三電極；

柵極絕緣層，設置于所述第一電極層上方；

半導體層，設置于所述柵極絕緣層上方，所述半導體層包括第一半導體層和第二半導體層；所述第一半導體層設置于所述第一電極和所述第三電極上方；所述第二半導體層設置于所述第二電極上方；

第二電極層，設置于所述第一半導體層上方，所述第二電極層包括第四電極、漏極以及源極；所述第四電極位于所述第一電極上方；所述漏極和所述源極位于所述第三電極兩個相對的邊緣區域上方；

絕緣層，設置于所述半導體層上方；以及

透明電極層，設置于所述絕緣層上方，所述透明電極層包括第一透明電極和第二透明電極；所述第一透明電極與所述第一電極相連接；所述第二透明電極與所述第二電極以及所述漏極相連接。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述感光傳感器包括層疊設置的所述第二電極、所述第二半導體層以及所述第一透明電極；其中，所述第二半導體層為多層結構，包括層疊設置的N型重摻雜非晶硅層、非晶硅層以及P型重摻雜非晶硅層。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容包括層疊設置的所述第一電極、所述第一半導體層以及所述第四電極；其中，所述第一半導體層為多層結構，包括層疊設置的非晶硅層和N型重摻雜非晶硅層。

5.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述開關薄膜晶體管包括所述第三電極、所述第一半導體層、所述漏極和所述源極。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述開關薄膜晶體管的第三電極接入掃描信號，源極接入讀出信號，漏極接入所述感光傳感器的第二電極和所述存儲電容的第四電極；

所述存儲電容的第一電極接入低電位電源和所述感光傳感器的第一透明電極，所述存儲電容的第四電極接入所述開關薄膜晶體管的漏極和所述感光傳感器的第二電極。

7.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層和所述絕緣層上開設有將所述第二電極部分暴露的開孔，所述第二半導體層通過所述開孔與所述第二電極相接觸。

8.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述第一電極層上方的第一阻擋層，所述第一阻擋層包括位于所述第一電極上方的第一子阻擋層、位于所述第二電極上方的第二子阻擋層以及位于所述第三電極上方的第三子阻擋層。