[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010985508.7
• 申請日: 2020-09-18
• 公開（公告）號: CN112531022A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 佐佐木健次;梅本康成;小屋茂樹;高橋新之助;近藤將夫
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08;H01L23/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

本發明提供一種能夠實現SOA的擴大、以及擊穿電壓的提高的半導體裝置。在基板的表層部，設置有具有導電性的子集電極層。在俯視時，在子集電極層的內部，配置有集電極層、基極層、以及發射極層。集電極層與子集電極層連接。在俯視時具有在第一方向上較長的形狀的發射極電極配置于與發射極層重疊的位置。在俯視時具有在第一方向上較長的形狀的基極電極在與第一方向正交的第二方向上與發射極電極隔著間隔來配置。在俯視時，從發射極電極觀察集電極電極配置于第二方向的一側，而未配置于另一側。在基極電極的長度方向的兩端以外的部位，基極布線與基極電極連接。

技術領域

本發明涉及包含雙極晶體管的半導體裝置。

背景技術

在移動終端等利用高頻無線通信的設備中，作為發送用的功率放大電路的放大元件，使用異質結雙極晶體管(HBT)。在下述的專利文獻1中，公開了與大輸出功率對應的功率放大用HBT。

在專利文獻1所公開的HBT中，在與發射極的長邊方向正交的方向上，依次并排配置有集電極電極、基極電極、發射極電極、基極電極、發射極電極、基極電極、以及集電極電極。

專利文獻1：日本特開2007－242727號公報

在HBT等雙極晶體管中，提出了實現安全動作區域(SOA)的擴大、以及擊穿電壓的提高的各種方案，但希望進一步擴大SOA，并進一步提高擊穿電壓。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠實現SOA的擴大、以及擊穿電壓的提高的半導體裝置。

根據本發明的一個觀點，提供一種半導體裝置，具有：

至少一個子集電極層，設置于基板的表層部，具有導電性，在俯視時被絕緣性的區域圍起；

雙極晶體管，在俯視時配置于各個上述子集電極層的內部，在厚度方向上依次具備集電極層、基極層、以及發射極層，且上述集電極層與上述子集電極層連接；

發射極電極，俯視時在第一方向上具有較長的形狀，并配置于與上述發射極層重疊的位置，與上述發射極層電連接；

基極電極，俯視時在上述第一方向上具有較長的形狀，在與上述第一方向正交的第二方向上與上述發射極電極隔著間隔來配置，與上述基極層電連接；

集電極電極，在俯視時，從上述發射極電極觀察配置于上述第二方向的一側，而未配置于另一側，并經由上述子集電極層與上述集電極層電連接；以及

基極布線，在上述基極電極的長度方向的兩端以外的部位與上述基極電極連接。

通過如上述那樣設定發射極電極與集電極電極的位置關系，并如上述那樣設定基極電極與基極布線的連接位置，能夠實現SOA的擴大、以及擊穿電壓的提高。

附圖說明

圖1是表示第一實施例的半導體裝置的多個構成要素的平面布局的圖。

圖2A以及圖2B分別是圖1的點劃線2A－2A上的剖視圖、以及點劃線2B－2B上的剖視圖。

圖3是表示第一實施例以及比較例的半導體裝置的構成要素的俯視時的布局的圖。

圖4A是表示第一實施例的另一比較例的半導體裝置的構成要素的俯視時的布局的圖，圖4B是圖4A的點劃線4B－4B上的剖視圖。

圖5A是表示第一實施例的又一比較例的半導體裝置的構成要素的俯視時的布局的圖，圖5B是圖5A的點劃線5B－5B上的剖視圖。

圖6是表示試樣S0、S4、S5的SOA邊界的遷移電壓與擊穿邊界的電壓的關系的測定結果的圖表。

圖7是第一實施例的變形例的半導體裝置的剖視圖。

圖8是第一實施例的又一變形例的半導體裝置的剖視圖。